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[发明专利]一种大尺寸、高质量二维卤化物钙钛矿单晶制备方法-CN202210070728.6有效
发明人：徐凌;唐江;牛广达;谢作想;熊焱 -专利权人：华中科技大学温州先进制造技术研究院
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种大尺寸、高质量二维卤化物钙钛矿单晶制备方法，所述二维卤素钙钛矿分子式为A2PbX4或BPbX4，其中A代表苯乙胺离子、苯并咪唑离子、丙胺离子、丁胺离子、戊胺离子中的一种或多种；B代表丙二胺离子、丁二胺离子、戊二胺离子、对苯二甲胺离子中的一种或多种，X代表氯离子、溴离子、碘离子中的一种或多种。利用籽晶诱导的挥发溶剂法，通过在籽晶加入初期进行加热溶解，可在室温或恒温挥发下获得大尺寸、高质量的二维钙钛矿单晶。该方法中溶液可重复利用，设备以及能耗要求低，可低成本获得大尺寸、高质量的二维钙钛矿单晶。
一种尺寸质量二维卤化物钙钛矿单晶制备方法

[发明专利]红外读出电路及像素电路-CN202210049724.X有效
发明人：刘冬生;李豪;聂正;牛广达;唐江;高亮 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H04N25/78 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种红外读出电路及像素电路，可以提高输出信号的质量。该红外读出电路包括：由多个像素电路组成的像素阵列，每个像素电路均包括：积分电路；反馈控制电路，包括：输入端，与红外探测器的输出端连接，用于接收红外探测器根据红外光信号所产生的电流信号；输出端，与积分电路连接，用于对积分电路进行充电；以及控制端；输出电路，包括：源跟随器和尾电流源，其中源跟随器的输入端与积分电路连接，用于根据积分电路的积分电压输出信号，且尾电流源连接在源跟随器和地之间；以及运放电路，包括：输入端，与反馈控制电路的输入端连接，以及输出端，与反馈控制电路的控制端连接。
红外读出电路像素

[发明专利]一种CsBr的提纯方法-CN202211031605.8有效
发明人： 牛广达;唐江;阮映枫;逄锦聪;梁允萌 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C01D17/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种CsBr的提纯方法，属于CsBr提纯技术领域，所述提纯方法包括：将待提纯的CsBr进行重结晶，得到重结晶后的CsBr；将重结晶后的所述CsBr进行定向凝固，得到定向凝固后的CsBr；将定向凝固后的所述CsBr进行区域熔融，得到高纯CsBr；所述高纯CsBr的纯度≥8N。该提纯方法结合重结晶技术、定向凝固技术和区域熔融技术，通过上述三种技术协同配合，可有效除去低纯CsBr中Cs2O、CsOH等杂相污染，大幅提升CsBr纯度，制备出可用于高结晶质量单晶生长的高纯CsBr。
一种 csbr 提纯方法

[发明专利]一种有机热激子闪烁体材料、制品及性能测试方法-CN202310982239.2在审
发明人： 牛广达;唐江;杜鑫源;赵杉;巫皓迪 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-08-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C07C25/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机热激子闪烁体材料及制品、制品及性能测试方法，该有机热激子闪烁体材料在射线光子作用时，至少一个高能级能级差的绝对值小于三线态能级差的绝对值，实现热激子从任意高能级三线态通过高能级三线态快速反系间穿越跃迁到任意能级单线态，同时抑制高能级三线态弛豫到低能级三线态，使得热激子完全从单线态跃迁到基态并发射闪烁光；该有机热激子闪烁体材料至少包含四‑(4‑溴苯)乙烯或1,1,2,2‑四(3'‑溴‑[1,1'‑联苯]‑4‑基)乙烯。同时，对本发明的有机闪烁体材料的性能进行测试，得出该有机闪烁体材料发光寿命短和高光产额的优点。
一种有机激子闪烁材料制品性能测试方法

[发明专利]BDI型像素电路及读出电路-CN202210051677.2有效
发明人：刘冬生;李豪;聂正;牛广达;唐江;高亮 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H04N23/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种具有高的稳定性的BDI型像素电路及读出电路。其中像素电路包括：积分电路；反馈控制电路，包括：输入端，与红外探测器的输出端连接，用于接收红外探测器根据红外光信号所产生的电流信号；输出端，与积分电路连接，用于对积分电路进行充电；以及控制端；输出电路，与积分电路连接，用于根据积分电路的积分电压输出信号；以及运放电路，包括：输入端，与反馈控制电路的输入端连接，以及输出端，与反馈控制电路的控制端连接；其中，运放电路，包括：作为尾电流源的晶体管，该晶体管为倒比管，且该晶体管的宽长比介于1：50～1：100之间。
bdi 像素电路读出

[发明专利]一种铯铜卤晶体的制备方法-CN202211044612.1有效
发明人：唐江;牛广达;朱劲松;张澳;巫皓迪 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C01G3/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种铯铜卤晶体的制备方法，包括如下步骤：提供化学式为CsX和CuX的化合物，混合均匀得到反应物，其中X为Cl、Br、I中的至少一种；将所述反应物置于预定真空度下并加热至预定温度，同时使所述反应物进行预定时间的内部运动，得到熔体；在预定冷却速率下冷却所述熔体，得到所述铯铜卤晶体。本申请实施例提供的铯铜卤晶体的制备方法，整个制备过程十分简单，且得到的产物具有很高的纯度。
一种铯铜卤晶体制备方法

[发明专利]可同时探测γ射线和快中子的二维有机无机杂化钙钛矿闪烁体及其制备-CN202111399450.9有效
发明人： 牛广达;唐江;谢作想;夏梦玲;王瀚琪 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01T1/202 文献下载
摘要：本发明属于晶体材料应用技术领域，公开了一种可同时探测γ射线和快中子的二维有机无机杂化钙钛矿闪烁体及其制备，该有机无机杂化钙钛矿闪烁体材料的化学式为A2PbBr4或A2PbBr4‑xClx，其中A为质子化的苯乙胺(PEA)离子、质子化的苯并咪唑(BI)离子或质子化的丁胺(BA)离子，x为0～0.8，能够应用于探测快中子、或同时探测γ射线和快中子。本发明通过采用特定元素组成的二维有机无机杂化钙钛矿闪烁体材料，该材料同时含有大量氢原子与重原子，使得在γ射线或快中子激发下，该材料均有较高的光产额和快的衰减，闪烁体性能优异，尤其可用于同时探测γ射线和快中子。
同时探测射线快中子二维有机无机杂化钙钛矿闪烁及其制备

[发明专利]用于图像传感器的多步式单斜模数转换电路及控制方法-CN202310294679.9在审
发明人：刘冬生;李豪;梁英翔;唐江;高亮;牛广达 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03M1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于图像传感器的多步式单斜模数转换电路，包括粗斜坡发生器、细斜坡发生器、混合型比较器、开关采样模块、译码器、计数器；粗斜坡发生器、细斜坡发生器分别与开关采样模块连接；混合型比较器的同相输入端与反相输入端分别与开关采样模块的输出端V+和V‑相连接；混合型比较器输出端与计数器相连接；计数器输出端分别与开关采样模块、译码器、外接电路相连，译码器与开关采样模块相连接。采用本发明所述的多步式单斜模数转换电路与控制方法能够大幅度降低转换步数，显著提高转换速率，并且，保证比较器的共模电压稳定。此外，所设计的混合型比较器电路能够降低模数转换器功耗；采用的斜坡校准技术能够提高模数转换器的线性度。
用于图像传感器多步式单斜转换电路控制方法

[发明专利]一种钙钛矿超快X射线探测器及其制备方法-CN202011283052.6有效
发明人：唐江;牛广达;巫皓迪;杜鑫源 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10K30/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种钙钛矿超快X射线探测器，自上至下依次包括：金属电极、电子传输层；钙钛矿材料层、空穴传输层和衬底层；其中，X射线从所述探测器的一侧入射，并在钙钛矿材料层中产生电子空穴对，工作电压施加在衬底层，产生电信号，并通过所述金属电极输出，本发明提供了一种钙钛矿超快X射线探测器，X射线斜向入射到钙钛矿材料层，可以在设计钙钛矿材料层时，减小其厚度，以提高响应速度，满足对响应速度要求较高的CT应用要求，本发明提供的钙钛矿超快X射线探测器制备方法，给出了钙钛矿超快X射线探测器的制备方法，保证探测器的使用稳定性，层间形成有效接触。
一种钙钛矿超快射线探测器及其制备方法

[发明专利]一种X射线探测器的制作方法-CN202211702773.5在审
发明人： 牛广达;唐江;刘志强;何欣 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种X射线探测器的制作方法。本发明通过采用异方性导电胶作为粘结层，将钙钛矿层与ITO玻璃基板异质集成，可以很好地避免因钙钛矿层和基底热膨胀系数不同导致的钙钛矿层脱落的问题发生。同时，采用ACA胶作为粘结层，能够提供更强的粘结力，使制作的器件具有更好的力学稳定性。
一种射线探测器制作方法

[发明专利]一种制备二维钙钛矿闪烁体和PET设备的方法-CN202310141554.2在审
发明人： 牛广达;唐江;金童;巫皓迪;罗家俊 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C07D235/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备二维钙钛矿闪烁体和PET设备的方法。将BX2和AX溶解在有机溶剂中，在室温下混合8～24h，得到A2BX4前驱体溶液；其中，B为二价金属阳离子，X为卤素阴离子，A为有机长链胺；从A2BX4前驱体溶液中生长得到二维钙钛矿晶体。由于二维钙钛矿闪烁体的成本较低，仅2.09元/g(LYSO:Ce的成本约15元/g)，根据测算，每台PET设备需要的闪烁体重量约160Kg，故节省了大量闪烁体成本。二维钙钛矿闪烁体的光产额更高，比如苯乙胺铅溴(PEA2PbBr4)光产额约38800photons/MeV，高于LYSO:Ce的33200photons/MeV，因而提高了探测效率。二维钙钛矿闪烁体的衰减时间比LYSO更短，因而缩短了二维钙钛矿闪烁体的符合时间，二维钙钛矿闪烁体实测的符合时间比LYSO:Ce的符合时间更短，因而也提高了PET图像重建的精度。
一种制备二维钙钛矿闪烁 pet 设备方法

[发明专利]一种钙钛矿闪烁体陶瓷的制备方法-CN202310127476.0在审
发明人：唐江;牛广达;巫皓迪;张澳 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿闪烁体陶瓷的制备方法。本发明通过真空烧结得到闪烁体粉末，闪烁体粉末经干压成型后依次经过温等静压和高温高压反应釜处理，得到透明的钙钛矿闪烁体陶瓷。高温高压反应釜通过调节温度、压强、保压时间等参数，可以得到在发射波长下透过率大于15％的CsCuX(X＝Cl、Br、I)卤化物闪烁体陶瓷，降低陶瓷的孔隙率即增大陶瓷的致密度，可以有效降低陶瓷的光散射和光串扰问题，提高X射线探测成像的空间分辨率。本发明利用高温高压反应釜提供大于300℃的高温、高压环境促进钙钛矿闪烁体素胚的晶粒加速流动、重排与致密化，有效解决了现有技术中需要长时间高温、制备周期长的技术问题。
一种钙钛矿闪烁陶瓷制备方法

[发明专利]一种提高基于铯铅溴CsPbBr3-CN202110211981.4有效
发明人： 牛广达;逄锦聪;杜鑫源;唐江;潘伟程;阮映枫 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于半导体辐射探测领域，公开了一种提高基于铯铅溴CsPbBr3的辐射探测器性能的方法，该方法是通过对辐射探测器的吸光层铯铅溴CsPbBr3钙钛矿材料进行含氧气氛围的退火处理，在避免使CsPbBr3体相中的溴元素被氧化以致失去钙钛矿结构的前提下，仅在吸光层CsPbBr3的表面形成宽带隙的铅的氧化物以钝化缺陷，降低暗电流，从而提高辐射探测器CsPbBr3的辐射探测性能。本发明通过对辐射探测器的吸光层CsPbBr3进行氧气氛围的退火处理，能够有效解决现有的吸光层缺陷多，暗电流大等问题，同时兼顾灵敏度、稳定性等指标。
一种提高基于铯铅溴 cspbbr base sub

[发明专利]一种制备一维结构的柱状晶铜基卤化物闪烁体膜的方法-CN202310127470.3在审
发明人：唐江;牛广达;巫皓迪;陈旭;张澳 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备一维结构的柱状晶铜基卤化物闪烁体膜的方法。本发明利用具有一维晶体结构的铜基卤化物闪烁体材料(CsCu2I3、Cs5Cu3Cl6I2)，在柔性衬底上制备了柱状晶结构的闪烁体厚膜，一维结构的柱状晶铜基卤化物闪烁体厚膜从根本上解决了多晶晶界产生缺陷的问题。并且利用近空间升华法蒸发，由于蒸发源和衬底的距离很近(几毫米)，蒸发速度可以很快(30‑50μm/min)，从而能够快速制备百微米级的闪烁体厚膜，不仅提升了制备效率，而且大大降低了制备成本。
一种制备结构柱状晶铜基卤化物闪烁方法

[发明专利]一种三源共蒸制备CsPbBr3-CN202310109324.8在审
发明人：唐江;牛广达;巫皓迪;陈旭 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明公开了一种三源共蒸制备CsPbBr3膜的方法。通过分别同时蒸发PEABr、CsBr和PbBr2原料，通过称量蒸发前后基底的质量,计算出蒸发到基底上的原料的质量，进而标定PEABr、CsBr和PbBr2的实际蒸发速率，选用合适的蒸发速率，得到致密低缺陷的CsPbBr3厚膜。本发明避免了对现有制备技术的使用，解决了现有技术中存在的技术问题。并通过三源共蒸制备低缺陷浓度的CsPbBr3膜，通过引入PEABr，利用其钝化缺陷作用，填补Br空位缺陷，并且能够形成二维RP型钙钛矿，可以有效减少缺陷浓度，显著减少暗电流浓度，并且提高CsPbBr3探测器性能，以便和后端成像面板兼容。
一种三源共蒸制备 cspbbr base sub

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