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[发明专利]一种有机热激子闪烁体材料、制品及性能测试方法-CN202310982239.2在审
发明人：牛广达;唐江;杜鑫源;赵杉;巫皓迪 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-08-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C07C25/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机热激子闪烁体材料及制品、制品及性能测试方法，该有机热激子闪烁体材料在射线光子作用时，至少一个高能级能级差的绝对值小于三线态能级差的绝对值，实现热激子从任意高能级三线态通过高能级三线态快速反系间穿越跃迁到任意能级单线态，同时抑制高能级三线态弛豫到低能级三线态，使得热激子完全从单线态跃迁到基态并发射闪烁光；该有机热激子闪烁体材料至少包含四‑(4‑溴苯)乙烯或1,1,2,2‑四(3'‑溴‑[1,1'‑联苯]‑4‑基)乙烯。同时，对本发明的有机闪烁体材料的性能进行测试，得出该有机闪烁体材料发光寿命短和高光产额的优点。
一种有机激子闪烁材料制品性能测试方法

[发明专利]一种铯铜卤晶体的制备方法-CN202211044612.1有效
发明人：唐江;牛广达;朱劲松;张澳;巫皓迪 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C01G3/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种铯铜卤晶体的制备方法，包括如下步骤：提供化学式为CsX和CuX的化合物，混合均匀得到反应物，其中X为Cl、Br、I中的至少一种；将所述反应物置于预定真空度下并加热至预定温度，同时使所述反应物进行预定时间的内部运动，得到熔体；在预定冷却速率下冷却所述熔体，得到所述铯铜卤晶体。本申请实施例提供的铯铜卤晶体的制备方法，整个制备过程十分简单，且得到的产物具有很高的纯度。
一种铯铜卤晶体制备方法

[发明专利]一种钙钛矿超快X射线探测器及其制备方法-CN202011283052.6有效
发明人：唐江;牛广达;巫皓迪;杜鑫源 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10K30/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种钙钛矿超快X射线探测器，自上至下依次包括：金属电极、电子传输层；钙钛矿材料层、空穴传输层和衬底层；其中，X射线从所述探测器的一侧入射，并在钙钛矿材料层中产生电子空穴对，工作电压施加在衬底层，产生电信号，并通过所述金属电极输出，本发明提供了一种钙钛矿超快X射线探测器，X射线斜向入射到钙钛矿材料层，可以在设计钙钛矿材料层时，减小其厚度，以提高响应速度，满足对响应速度要求较高的CT应用要求，本发明提供的钙钛矿超快X射线探测器制备方法，给出了钙钛矿超快X射线探测器的制备方法，保证探测器的使用稳定性，层间形成有效接触。
一种钙钛矿超快射线探测器及其制备方法

[发明专利]一种制备二维钙钛矿闪烁体和PET设备的方法-CN202310141554.2在审
发明人：牛广达;唐江;金童;巫皓迪;罗家俊 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C07D235/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备二维钙钛矿闪烁体和PET设备的方法。将BX2和AX溶解在有机溶剂中，在室温下混合8～24h，得到A2BX4前驱体溶液；其中，B为二价金属阳离子，X为卤素阴离子，A为有机长链胺；从A2BX4前驱体溶液中生长得到二维钙钛矿晶体。由于二维钙钛矿闪烁体的成本较低，仅2.09元/g(LYSO:Ce的成本约15元/g)，根据测算，每台PET设备需要的闪烁体重量约160Kg，故节省了大量闪烁体成本。二维钙钛矿闪烁体的光产额更高，比如苯乙胺铅溴(PEA2PbBr4)光产额约38800photons/MeV，高于LYSO:Ce的33200photons/MeV，因而提高了探测效率。二维钙钛矿闪烁体的衰减时间比LYSO更短，因而缩短了二维钙钛矿闪烁体的符合时间，二维钙钛矿闪烁体实测的符合时间比LYSO:Ce的符合时间更短，因而也提高了PET图像重建的精度。
一种制备二维钙钛矿闪烁 pet 设备方法

[发明专利]一种钙钛矿闪烁体陶瓷的制备方法-CN202310127476.0在审
发明人：唐江;牛广达;巫皓迪;张澳 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿闪烁体陶瓷的制备方法。本发明通过真空烧结得到闪烁体粉末，闪烁体粉末经干压成型后依次经过温等静压和高温高压反应釜处理，得到透明的钙钛矿闪烁体陶瓷。高温高压反应釜通过调节温度、压强、保压时间等参数，可以得到在发射波长下透过率大于15％的CsCuX(X＝Cl、Br、I)卤化物闪烁体陶瓷，降低陶瓷的孔隙率即增大陶瓷的致密度，可以有效降低陶瓷的光散射和光串扰问题，提高X射线探测成像的空间分辨率。本发明利用高温高压反应釜提供大于300℃的高温、高压环境促进钙钛矿闪烁体素胚的晶粒加速流动、重排与致密化，有效解决了现有技术中需要长时间高温、制备周期长的技术问题。
一种钙钛矿闪烁陶瓷制备方法

[发明专利]一种制备一维结构的柱状晶铜基卤化物闪烁体膜的方法-CN202310127470.3在审
发明人：唐江;牛广达;巫皓迪;陈旭;张澳 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备一维结构的柱状晶铜基卤化物闪烁体膜的方法。本发明利用具有一维晶体结构的铜基卤化物闪烁体材料(CsCu2I3、Cs5Cu3Cl6I2)，在柔性衬底上制备了柱状晶结构的闪烁体厚膜，一维结构的柱状晶铜基卤化物闪烁体厚膜从根本上解决了多晶晶界产生缺陷的问题。并且利用近空间升华法蒸发，由于蒸发源和衬底的距离很近(几毫米)，蒸发速度可以很快(30‑50μm/min)，从而能够快速制备百微米级的闪烁体厚膜，不仅提升了制备效率，而且大大降低了制备成本。
一种制备结构柱状晶铜基卤化物闪烁方法

[发明专利]一种三源共蒸制备CsPbBr3-CN202310109324.8在审
发明人：唐江;牛广达;巫皓迪;陈旭 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明公开了一种三源共蒸制备CsPbBr3膜的方法。通过分别同时蒸发PEABr、CsBr和PbBr2原料，通过称量蒸发前后基底的质量,计算出蒸发到基底上的原料的质量，进而标定PEABr、CsBr和PbBr2的实际蒸发速率，选用合适的蒸发速率，得到致密低缺陷的CsPbBr3厚膜。本发明避免了对现有制备技术的使用，解决了现有技术中存在的技术问题。并通过三源共蒸制备低缺陷浓度的CsPbBr3膜，通过引入PEABr，利用其钝化缺陷作用，填补Br空位缺陷，并且能够形成二维RP型钙钛矿，可以有效减少缺陷浓度，显著减少暗电流浓度，并且提高CsPbBr3探测器性能，以便和后端成像面板兼容。
一种三源共蒸制备 cspbbr base sub

[发明专利]一种双源共蒸制备InSeI膜的方法-CN202310109293.6在审
发明人：唐江;牛广达;巫皓迪;陈旭 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明公开了一种双源共蒸制备InSeI膜的方法。通过分别同时蒸发InI3和In2Se3，通过称量蒸发前后基底的质量，进而计算出沉积到基底上的InI3和In2Se3的质量，进而标定InI3和In2Se3的实际蒸发速率，使其以等摩尔比的速率蒸发，得到致密的InSeI膜，并制备X射线探测器，获得良好的器件性能。
一种双源共蒸制备 insei 方法

[发明专利]一种MAPbI3厚膜的表面处理方法-CN202011329619.9有效
发明人：唐江;牛广达;宋子豪;夏梦玲;巫皓迪 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明特别涉及一种MAPbI3厚膜的表面处理方法，属于钙钛矿膜制备技术领域，方法包括：获得MAPbI3厚膜初品；将MAPbI3厚膜初品的一个表面贴合PI膜一面，压制后，获得MAPbI3厚膜；在压制过程中，保持MAPbI3厚膜初品的温度恒定，且MAPbI3厚膜初品的温度为25℃‑120℃。通过将PI膜对MAPbI3厚膜表面进行覆盖并施压，处理方法工艺简单、处理成本低，提高了MAPbI3厚膜的密度，降低了MAPbI3厚膜的表面粗糙度，减少了表面悬挂键，从而降低变质发黄的可能，提高MAPbI3厚膜表面的光响应和表面载流子寿命，使得表面载流子寿命与靠近基底的MAPbI3厚膜背面近视相等。
一种 mapbi3 表面处理方法

[发明专利]一种闪烁体膜制备装置以及方法-CN202211054339.0在审
发明人：唐江;牛广达;朱劲松;巫皓迪;张澳 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G01T1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪烁体膜制备装置以及方法，所述装置包括：蒸发模具，包括凹槽，凹槽内设置有格栅，原料粉填充于格栅内，其中，格栅为热导率材质；近空间升华炉，包括基底以及加热器，蒸发模具设置于近空间升华炉内，加热器用于对蒸发模具中格栅内的原料粉进行加热，使得原料粉升华，升华后的原料粉沉积到基底上形成闪烁体膜。该装置可以使得原料粉末在格栅中均匀、快速地受热，以解决原料粉末受热不均匀、速度过慢等问题，进而实现高效地制备大面积高均匀性的闪烁体厚膜。
一种闪烁制备装置以及方法

[发明专利]一种钙钛矿X射线探测器的封装面板及其制备方法-CN202211072431.X在审
发明人：唐江;牛广达;杜鑫源;朱劲松;何欣;宋子豪;巫皓迪 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：本申请涉及半导体光电探测器领域，尤其涉及一种钙钛矿X射线探测器的封装面板及其制备方法；钙钛矿材料层，铝膜层，以及薄膜层，铝膜层设置于钙钛矿材料层与薄膜层之间，且与钙钛矿材料层和薄膜层相邻设置；其中，薄膜层为含硅元素的一个或多个无机薄膜层；所述方法包括：对基板的表面进行TFT驱动器件成型，再在成型的TFT驱动器件表面进行钙钛矿材料层成型，得到功能单元；在功能单元中钙钛矿材料层的表面贴封铝膜层，后在铝膜层表面上沉积第一无机薄膜层和第二无机薄膜层，得到含防水氧结构的封装面板；通过铝膜层和薄膜层，避免水氧环境对钙钛矿层材料的侵蚀，起到有效封装。
一种钙钛矿射线探测器封装面板及其制备方法

[发明专利]CsPbBr3-CN202210920178.2在审
发明人：唐江;牛广达;巫皓迪;陈旭 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种CsPbBr3膜及其热蒸发制备方法、X射线探测器，其中的制备方法包括：提供基底、溴化铯和溴化铅；将所述基底固定至双源共蒸设备的蒸发腔内的样品台，所述溴化铯置于所述蒸发腔内的第一蒸发舟，所述溴化铅置于所述蒸发腔内的第二蒸发舟；将所述基底加热至200～300℃；对所述第一蒸发舟施加第一电流，所述第二蒸发舟施加第二电流，以在所述基底上沉积所述溴化铯和所述溴化铅，获得CsPbBr3膜；其中，所述第一电流和所述第二电流使所述溴化铯和所述溴化铅具有相等的摩尔蒸发速率。上述方法解决了熔体法存在的难以大面积制备CsPbBr3膜和周期长的问题，以及采用溶液法存在的膜稳定性差、易产生孔洞的问题。
cspbbr base sub

[发明专利]多元钙钛矿材料、厚膜的制备方法及X射线探测器-CN202210822755.4在审
发明人：唐江;牛广达;巫皓迪;陈旭;宋子豪 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种多元钙钛矿材料、厚膜的制备方法及X射线探测器，其中的多元钙钛矿材料的化学组分为ABX3；A为多元阳离子基团，B为二价金属离子，X为卤素阴离子，多元钙钛矿材料的制备方法包括：基于ABX3的化学配比获取原料；在所述原料中加入反溶剂后进行反应球磨，获得反应产物；在进行反应球磨时，控制球磨机转速为400～600rpm，球磨时间为24～36小时；对所述反应产物进行干燥处理，获得多元钙钛矿粉末；上述方法能够制备纯相的多元钙钛矿粉末，避免在制备多元钙钛矿厚膜的过程中产生分相和偏析，提高了X射线探测器的器件性能。
多元钙钛矿材料制备方法射线探测器

[发明专利]一种X射线探测器及其制备方法-CN202210076524.3在审
发明人：唐江;牛广达;巫皓迪;张澳;朱劲松 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：本申请涉及一种X射线探测器及其制备方法，属于高能射线探测技术领域，本申请提供的X射线探测器，包括闪烁体层，所述闪烁体层的材料的化学式为A5B3X6Y2，其中，A为Cs、Rb、K中的至少一种，B为Cu或Ag，X为Cl、Br、I中的一种，Y为Cl、Br、I中一种，且X与Y为不同的化学元素。A5B3X6Y2的结构特性为一维晶体结构，该结构特性的化合物单晶作为闪烁材料具有强的激子限域效果，以使其拥有优异的发光性能。
一种射线探测器及其制备方法

[发明专利]一种化合物单晶及其制备方法和应用、闪烁体探测器-CN202210046162.3在审
发明人：唐江;牛广达;巫皓迪;张澳;朱劲松 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-01-16 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本申请涉及一种化合物单晶及其制备方法和应用、闪烁体探测器，属于高性能闪烁体材料技术领域，本申请提供的化合物单晶，化学通式为：A5B3X6X`2或A5B3X7X`1，其中，A表示一价碱金属阳离子，B表示一价过渡金属阳离子，X和X`表示一价卤素阴离子，且X和X`为不同元素，所述化合物单晶的晶体结构为一维链状型。该化合物单晶得结构特性为一维晶体结构，该结构特性的化合物单晶作为闪烁材料具有强的激子限域效果，以使拥有优异的发光性能。
一种化合物及其制备方法应用闪烁探测器

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