[发明专利]一种钙钛矿X射线探测器的封装面板及其制备方法

说明书

本申请涉及半导体光电探测器领域，尤其涉及一种钙钛矿X射线探测器的封装面板及其制备方法；钙钛矿材料层，铝膜层，以及薄膜层，铝膜层设置于钙钛矿材料层与薄膜层之间，且与钙钛矿材料层和薄膜层相邻设置；其中，薄膜层为含硅元素的一个或多个无机薄膜层；所述方法包括：对基板的表面进行TFT驱动器件成型，再在成型的TFT驱动器件表面进行钙钛矿材料层成型，得到功能单元；在功能单元中钙钛矿材料层的表面贴封铝膜层，后在铝膜层表面上沉积第一无机薄膜层和第二无机薄膜层，得到含防水氧结构的封装面板；通过铝膜层和薄膜层，避免水氧环境对钙钛矿层材料的侵蚀，起到有效封装。

技术领域

本申请涉及半导体光电探测器领域，尤其涉及一种钙钛矿X射线探测器的封装面板及其制备方法。

背景技术

光电探测器是一种可以捕获特定波长范围的光信号，并把它们立即转换成电信号的设备，其在光学成像、光通信、自动控制、生化传感等领域都有着重要且广泛的应用；半导体光电探测器目前作为光电探测器的主流，其主要分为光电导探测器、光电二极管探测器和光电三极管探测器，目前基于硅、锗、铟、砷化镓、氮化镓等半导体材料的半导体光电探测器由于各半导体材料的带隙不同，因此能被广泛用于光电探测产品中，并实现不同光谱范围的覆盖。

相比于上述常规半导体光电探测器的材料，由于卤素钙钛矿材料具有制备原料便宜、工艺简单和良好的光电特性的优点，因此能在光电领域快速应用和发展，但是目前针对钙钛矿材料应用在光电探测器的领域方面，由于钙钛矿材料本身暴露在水氧环境中很容易发生变质，仅仅进行简单的封装无法避免水氧环境对钙钛矿材料的侵蚀，将导致探测器的性能衰退，因此如何对钙钛矿材料的光电探测器进行有效的封装，以隔绝水氧，是目前亟需解决的技术问题。

发明内容

本申请提供了一种钙钛矿X射线探测器的封装面板及其制备方法，以解决现有技术中钙钛矿材料的光电探测器的封装无法避免水氧环境的侵蚀的技术问题。

第一方面，本申请提供了一种钙钛矿X射线探测器的封装面板，所述封装面板包括：

钙钛矿材料层，用于将X射线信号转换为电信号；

铝膜层，以及

薄膜层，

所述铝膜层设置于所述钙钛矿材料层与所述薄膜层之间，且与所述钙钛矿材料层和所述薄膜层相邻设置；

其中，所述薄膜层为含硅元素的一个或多个无机薄膜层。

可选的，所述薄膜层包括第一无机薄膜层和第二无机薄膜层，所述第一无机薄膜层覆盖在所述铝膜层表面，所述第二无机薄膜层覆盖在所述第一无机薄膜层的表面；所述第一无机薄膜层的厚度为0.2μm～0.6μm，所述第二无机薄膜层的厚度为0.2μm～0.6μm。

可选的，所述薄膜层的材质包括SiN_x和SiO₂中至少一种。

可选的，所述钙钛矿材料层的组分包括化学式为ABX₃的卤素钙钛矿材料，其中，所述A包括甲胺根阳离子、甲脒根阳离子和铯阳离子中的至少一种，所述B包括铅阳离子和锡阳离子中的至少一种，所述X包括氯阴离子、溴阴离子和碘阴离子中的至少一种。

可选的，所述钙钛矿材料层的组分还包括化学式为A₂CDX₆的卤素钙钛矿材料，其中，所述A包括甲胺根阳离子、甲脒根阳离子和铯阳离子中的至少一种，所述C为银阳离子，所述D包括铋阳离子、锑阳离子和铟阳离子中的至少一种，所述X包括氯阴离子、溴阴离子和碘阴离子中的至少一种。

可选的，所述铝膜层的材质包括铝胶带、铝箔片和铝片中的至少一种。

可选的，所述铝膜层的厚度为1μm～10μm。