[发明专利]半导体结构的制作方法以及半导体结构在审
| 申请号： | 202211068662.3 | 申请日： | 2022-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN115132648A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 林成芝;吴启明;陈扬 | 申请（专利权）人： | 合肥新晶集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 霍文娟 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构。该方法包括：提供基底，基底包括依次层叠的衬底、介质结构层以及间隔设置的多个沟槽，沟槽贯穿介质结构层至衬底中，沟槽按照排列方向分为第一沟槽和第二沟槽；在第一沟槽中以及第一沟槽两侧的介质结构层的裸露表面上形成第一掩膜层；去除部分第一掩膜层，使得第一沟槽两侧的介质结构层裸露；去除部分衬底，使得第二沟槽的深度增加。该方法通过把二次刻蚀前的第一掩膜层减薄至使得介质结构层裸露，使得第一区域中的第一沟槽能够继续刻蚀的同时，介质结构层的表面能够平整，从而后续研磨介质结构层能够彻底清除掉介质结构层，进而解决了形成不同深度的沟槽时造成的介质结构层残留的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 以及 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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