[发明专利]半导体结构的制作方法以及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括依次层叠的衬底、介质结构层以及间隔设置的多个沟槽，所述沟槽贯穿所述介质结构层至所述衬底中，所述沟槽按照排列方向分为第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽至少有一个，所述第二沟槽至少有一个；

在所述第一沟槽中以及所述第一沟槽两侧的所述介质结构层的裸露表面上形成第一掩膜层；

去除部分所述第一掩膜层，使得所述第一沟槽两侧的所述介质结构层裸露，以及使得所述第一沟槽中所述第一掩膜层的裸露表面与所述第一沟槽两侧的所述介质结构层的裸露表面平齐；

去除部分所述衬底，使得所述第二沟槽的深度增加。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一沟槽中以及所述第一沟槽两侧的所述介质结构层的裸露表面上形成第一掩膜层，包括：

在所述基底的裸露表面上形成所述第一掩膜层；

去除部分所述第一掩膜层，使得所述第二沟槽的内壁以及所述第二沟槽两侧的所述介质结构层的表面裸露。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提供基底，包括：

提供所述衬底；

在所述衬底的裸露表面上形成所述介质结构层；

去除部分所述介质结构层以及所述衬底，形成间隔设置的多个所述沟槽。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，去除部分所述介质结构层以及所述衬底，形成间隔设置的多个所述沟槽，包括：

在所述介质结构层的裸露表面上形成第二掩膜层；

图形化所述第二掩膜层；

以图形化的所述第二掩膜层为掩膜，向下刻蚀所述介质结构层以及所述衬底，形成多个所述沟槽。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述介质结构层的裸露表面上形成第二掩膜层，包括：

在所述介质结构层的裸露表面上形成碳层；

在所述碳层的裸露表面上形成氮氧化硅层，所述碳层以及所述氮氧化硅层形成所述第二掩膜层。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述衬底的裸露表面上形成所述介质结构层，包括：

在所述衬底的裸露表面上形成介质层；

在所述介质层的裸露表面上形成刻蚀阻挡层，所述介质层和所述刻蚀阻挡层形成所述介质结构层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述介质层的材料包括以下至少之一：氧化硅、氮氧化硅和碳氧化硅。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料包括氮氧化硅。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料包括光刻胶。

10.一种采用权利要求1至9中任一项所述方法制作的半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

介质结构层，位于所述衬底的表面上；

多个沟槽，多个所述沟槽间隔设置，所述沟槽贯穿所述介质结构层至所述衬底中，所述沟槽按照排列方向分为第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽至少有一个，所述第二沟槽至少有一个，所述第二沟槽的深度大于所述第一沟槽的深度。