[发明专利]半导体结构及其制作方法

摘要

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法，结构包括：基底及形成于基底上的多个半导体柱，半导体柱沿第一方向延伸，且沿第二方向和第三方向上排列，半导体柱包括沟道区、源极和漏极，源极和漏极位于沟道区的相对两侧；字线，至少覆盖部分半导体柱的沟道区，字线沿第二方向延伸，且沿第二方向上，多个半导体柱连接同一字线；位线，连接半导体柱的源极或者漏极中的一者，位线沿第三方向延伸，且沿第三方向上，多个半导体柱连接同一位线；电荷存储单元，连接半导体柱的源极或者漏极中的另一者，电荷存储单元沿第一方向延伸；其中，至少有两个位线所连接的半导体柱的数量不同，以降低半导体结构中的寄生电容。