[发明专利]一种用于外延反应炉的灯座及辅助拆装工具在审
| 申请号： | 202210967257.9 | 申请日： | 2022-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN115198353A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 刘凯;刘世雄 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/10 | 分类号： | C30B25/10;C23C16/48;C30B25/02;B25B27/00 |
| 代理公司： | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人： | 沈寒酉;王哲 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种用于外延反应炉的灯座及辅助拆装工具；所述灯座包括左灯座和右灯座；其中，所述左灯座和所述右灯座的下方通过铰链连接在一起；所述左灯座上方设置有卡槽，所述右灯座的上方设置有与所述卡槽相适配的卡钩，以当所述卡钩拨插至所述卡槽时所述右灯座和所述左灯座合并在一起；以及，当所述卡钩拨出所述卡槽时所述右灯座和所述左灯座分开。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 外延 反应炉 灯座 辅助 拆装 工具 | ||
【主权项】：
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- 巴赛;胡凡;巩小亮;林伯奇;龙长林 - 中国电子科技集团公司第四十八研究所
- 2021-09-15 - 2023-03-17 - C30B25/10
- 本发明公开了一种间距可调的碳化硅外延设备感应加热装置，所述加热装置装设在碳化硅外延设备内部，包括：承重杆、安装板以及用于加热的螺旋感应线圈，所述安装板的两端分别与承重杆连接，所述螺旋感应线圈的两端分别与安装板连接，所述螺旋感应线圈整体在承重杆上往复移动以实现感应加热区域调整；所述螺旋感应线圈包括多个线圈匝，所述线圈匝上设有至少一个调节点，所述安装板上装设有多组用于调节相邻线圈匝间距的调节组件，所述调节组件与调节点相对应。本发明具有结构紧凑、相邻线圈匝的间距可灵活调整、反应室内的温场分布可灵活调整、安全性高、线圈使用寿命长等优点。
- 一种改善Logic产品衬底外延后弯曲度和翘曲度工艺-202211316613.7
- 张强;杜金生;常雪岩;张坤;宋泰甫;刘校均;张浩;杨振域;郭红慧;孙晨光;王彦君 - 中环领先半导体材料有限公司
- 2022-10-26 - 2023-03-07 - C30B25/10
- 本发明公开了一种改善Logic产品衬底外延后弯曲度和翘曲度工艺，其改善工艺包括以下步骤：S1、首先降低工艺腔体接取片温度可以起到降低弯曲度及翘曲度的作用，由于外延设备仅工艺腔长期维持高温环境，其他传输腔保持常温，硅衬底进出工艺腔时会面临温度突变导致变形的问题，工艺腔的接取片的进行实时降低，降低了温度的突变，可以改善弯曲度、翘曲度，S2、然后调整硅衬底在腔内的升温速度和过程可以减少热应力的堆积降低其形变量。本发明通过优化设备的接取片温度及recipe的升温速率和外延时功率配比可以达到改善硅外延对wafer弯曲度、翘曲度的目的，从而提升了外延工序对衬底弯曲度及翘曲度的接受窗口，方法简单有效。
- 一种应用于立式成膜设备的热场-202211545266.5
- 刘鹏;徐文立;沈磊 - 宁波恒普真空科技股份有限公司
- 2022-12-05 - 2023-03-07 - C30B25/10
- 本发明公开一种应用于立式成膜设备的热场，涉及半导体生产设备技术领域，包括进气室、反应室和基座；进气室底部设有反应室，且进气室与反应室相连通；基座位于反应室内下部，且基座位于进气室正下方；基座顶部用于承托晶片；基座内设有基座热场，基座热场用于对晶片加热；反应室底部设置有排气口；反应室内设置有套筒，套筒与反应室的侧壁之间设置有上部热场。通过上部热场对原料气体进行加热，通过基座热场对晶片的外圈和内圈进行加热，配合辐射温度计和温度控制模块，使晶片表面温度差处于合理范围内，避免由于内外圈温差使晶片发生形变甚至可能导致晶片破损影响成膜质量，并且，能够缩短晶片装载恢复至反应温度所需时间，以提高生产效率。
- 一种用于半导体工艺腔室的加热装置和半导体设备-202110961824.5
- 夏俊涵 - 北京北方华创微电子装备有限公司
- 2021-08-20 - 2023-02-21 - C30B25/10
- 本发明公开了一种用于半导体工艺腔室的加热装置和半导体设备，其中加热装置包括：反射屏，所述反射屏设置在所述工艺腔室的上方，所述反射屏具有保温性；加热元件，安装在所述反射屏靠近所述工艺腔室的一侧；旋转机构，所述旋转机构与所述反射屏连接，且所述旋转机构能够带动所述反射屏在水平面内转动。本发明的反射屏能够水平转动，防止某一个加热元件只照射晶圆的某一固定位置，提高了温场的温度可调性；调节晶圆不同区域的温度，从而能够使温场的温度更均匀。
- 预热环和基板处理装置-202110907191.X
- 古奕凡;罗际蔚;林聪志 - 广州集成电路技术研究院有限公司
- 2021-08-09 - 2023-02-17 - C30B25/10
- 本发明公开一种预热环和基板处理装置，所述预热环包括呈相对设置的顶表面和底表面，所述预热环中央处设有通孔，至少部分所述顶表面朝向所述通孔倾斜，并与水平面呈锐角设置。本发明旨在提供一种有效减缓基板表面边缘区域的湍流现象的预热环，从而使得基板上所沉积薄膜层厚度实现均匀。
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