[发明专利]半导体晶粒、半导体结构、及形成半导体结构的方法在审
| 申请号： | 202210961300.0 | 申请日： | 2022-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN115565995A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 黄晖闵;郑明达;薛长荣;林威宏;詹凯钧;江琬瑜 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本揭露实施例提供一种包括抗机械应力凸块结构的半导体晶粒。半导体晶粒包括嵌入金属互连结构的介电材料层、连接垫和通孔结构、以及包括凸块通孔部分和接合凸块部分的凸块结构。凸块通孔部分的底表面的整体位于连接垫和通孔结构的垫部分的水平顶表面的区域内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶粒 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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