[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202210906404.1 | 申请日： | 2022-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN115881713A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 保谷昌志 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/48;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/10;H01L23/14;H10B80/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体装置和半导体装置的制造方法。半导体装置具备：散热板；绝缘树脂层，其形成于散热板；金属板，该金属板的下表面与作为绝缘树脂层的表面的一部分的第一区域接触；电力用半导体芯片，其与金属板的上表面接合；第一引线端子，其与金属板连接；第一模制树脂，其覆盖金属板的一部分和第一引线端子的一部分；以及第二模制树脂，其由特性与第一模制树脂的特性不同的树脂材料形成，第二模制树脂覆盖金属板的一部分、电力用半导体芯片以及第一引线端子的一部分。第一模制树脂在俯视时从金属板的外周缘遍及到绝缘树脂层的外周缘的线上或外侧，第一模制树脂的下表面与绝缘树脂层的表面中的不同于第一区域的第二区域接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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