[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202210906404.1 申请日: 2022-07-29
公开(公告)号: CN115881713A 公开(公告)日: 2023-03-31
发明(设计)人: 保谷昌志 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/48;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/10;H01L23/14;H10B80/00
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,具备:

散热板;

绝缘树脂层,其形成于所述散热板,该绝缘树脂层的表面包括第一区域以及不同于该第一区域的第二区域;

金属板,其包括第一面以及与该第一面相反的一侧的第二面,所述第一面与所述绝缘树脂层的表面中的所述第一区域接触;

第一半导体芯片,其与所述第二面接合;

第一引线端子,其与所述金属板连接;

第一模制树脂,其覆盖所述金属板的一部分和所述第一引线端子的一部分;以及

第二模制树脂,其由特性与所述第一模制树脂的特性不同的树脂材料形成,所述第二模制树脂覆盖所述金属板的其它一部分、所述第一半导体芯片以及所述第一引线端子的其它一部分,

其中,所述第一模制树脂包括第三面,所述第三面在俯视时从所述金属板的外周缘遍及到所述绝缘树脂层的外周缘或外侧,所述第三面位于与所述金属板的所述第一面相同的平面内,

所述第三面与所述绝缘树脂层的表面中的所述第二区域接触。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述第一模制树脂包括与所述第三面相反的一侧的第四面,

所述第四面与所述第三面平行。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

所述第一引线端子包括:

第一部分,其与包含所述金属板的所述第二面的基准面平行地延伸,所述第一部分以使所述基准面位于该第一部分与所述绝缘树脂层之间的方式与所述基准面分离;以及

第二部分,其将所述第一部分与所述金属板连结,

所述第一模制树脂的所述第四面位于与所述第一引线端子的所述第一部分的不与所述基准面相向的面相同的平面内。

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,

所述第一引线端子的所述第二部分的整个面被所述第一模制树脂覆盖。

5.根据权利要求2~4中的任一项所述的半导体装置,其特征在于,

所述第一模制树脂具有将所述第三面与所述第四面连接的第五面,

所述第五面的至少一部分被所述第二模制树脂覆盖。

6.根据权利要求2~4中的任一项所述的半导体装置,其特征在于,还具备:

第二引线端子,其与包含所述金属板的所述第二面的基准面平行地延伸,所述第二引线端子以使所述基准面位于该第二引线端子与所述绝缘树脂层之间的方式与所述基准面分离;以及

第二半导体芯片,其接合于所述第二引线端子的不与所述基准面相向的面,

所述金属板在俯视时位于所述第二引线端子与所述第一引线端子的所述第一部分之间,

所述第一模制树脂的所述第四面位于与所述第二引线端子中的接合了所述第二半导体芯片的面相同的平面内。

7.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,

所述第一模制树脂具有从该第一模制树脂的所述第四面到达所述第三面的开口,

在所述开口的所述第三面侧,所述金属板的所述第二面的一部分露出,

所述第一半导体芯片接合于所述金属板的所述第二面中的在所述开口内露出的所述一部分。

8.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,

所述第一模制树脂的所述第四面侧的所述开口的面积大于所述第一模制树脂的所述第三面侧的所述开口的面积。

9.根据权利要求1~4中的任一项所述的半导体装置,其特征在于,

所述第一模制树脂的外周缘、所述散热板的外周缘以及所述绝缘树脂层的外周缘在俯视时重合。

10.根据权利要求1~4中的任一项所述的半导体装置,其特征在于,

所述金属板的外周面被所述第一模制树脂覆盖。

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