[发明专利]一种SONOS型FinFET器件结构及工艺集成方法有效
| 申请号： | 202210860926.2 | 申请日： | 2022-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN114937670B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 魏轶聃;刘国柱;赵伟;魏敬和;魏应强;许磊;隋志远;刘美杰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568;H01L21/02;H01L21/28;H01L21/762;H01L29/10 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子集成电路技术领域，具体涉及一种SONOS型FinFET器件结构及工艺集成方法，该结构由一个pMOS选择管和两个SONOS型pFLASH管1A、1B组成；pMOS选择管位于两个pFLASH管1A、1B的中部；其中pFLASH管1A的源端、1B的漏端分别与pMOS选择管相连接，其中SONOS型pFLASH管1A、1B与pMOS选择管共用阱；SONOS型pFLASH管中氧化物‑氮化物‑氧化物ONO介质层位于硅鳍Si Fin的两侧和顶部；该工艺集成方法能有效结合SONOS工艺和FinFET工艺的特点，实现低功耗、高密度、高可靠存储器的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sonos finfet 器件 结构 工艺 集成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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