[发明专利]芯片结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210822771.3 | 申请日： | 2022-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN115332211A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 李佳 | 申请（专利权）人： | 深圳中子星半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/48;H01L21/50;H01L21/60;H01L23/492 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 张小芬 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市龙华区大*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种芯片结构及其制备方法。芯片结构的制备方法包括以下步骤：提供一引线框架和一芯片；对引线框架的正面进行蚀刻，在引线框架的正面形成半蚀刻区域和正面覆有第一银层的连接凸起，连接凸起呈预设图形；在芯片的正面印刷第二银层，第二银层呈预设图形；将引线框架放置于芯片的正面，使连接凸起与第二银层接触并重合；对引线框架和芯片进行压力烧结，使第一银层与第二银层连接；采用机械研磨工艺去除引线框架上除连接凸起以外的部分，得到芯片结构。本申请提供的芯片结构的制备方法实现了引线框架可根据芯片的正面图形定制化，且采用机械研磨工艺相对于激光切割工艺成本更低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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