[发明专利]一种双沟道MOSFET器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202210631851.0 | 申请日： | 2022-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN114709258B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 赵浩宇;李伟聪;姜春亮;雷秀芳 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 深圳鼎恒诚知识产权代理有限公司 44820 | 代理人： | 陈俊斌;彭愿洁 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种双沟道MOSFET器件及其制造方法，器件包括至少一个元胞，元胞包括：漏区、第一漂移区、第二漂移区、横向沟槽栅、体区、源区、竖向沟槽栅以及源极电极。第二漂移区位于第一漂移区的上方，横向沟槽栅位于第二漂移区中，横向沟槽栅包括横向栅极以及第一栅介质层；竖向沟槽栅包括竖向栅极以及第二栅介质层；第二栅介质层的底部与第二漂移区接触，或第二栅介质层的底部与第一栅介质层接触；其中，竖向栅极连接第二栅电极，横向栅极连接第一栅电极。通过分别设立竖向栅极和横向栅极，且将其分别引出不同的栅极电极，这样就可以形成横竖两种不同的导电沟道。通过给不同的栅极电极分别加电压，就可以有两种不同电压的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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