[发明专利]一种双沟道MOSFET器件及其制造方法

权利要求书

1.一种双沟道MOSFET器件，包括至少一个元胞，其特征在于，所述元胞包括：

漏区（1），其具有第二导电类型；

第一漂移区（2），其位于所述漏区（1）的上方，具有第二导电类型；

第二漂移区（3），其位于所述第一漂移区（2）的上方，具有第二导电类型；

横向沟槽栅（4），其位于所述第二漂移区（3）中；所述横向沟槽栅（4）包括横向栅极（41）以及第一栅介质层（42）；所述横向沟槽栅（4）的厚度小于自身的宽度；

体区（5），其位于所述第二漂移区（3）上方，具有第一导电类型，所述第一导电类型和第二导电类型属于不同的半导体导电类型；

源区（6），其位于所述体区（5）上，具有第二导电类型；

竖向沟槽栅（7），其位于所述横向沟槽栅（4）的上方，所述竖向沟槽栅（7）穿通所述源区（6）以及体区（5），所述竖向沟槽栅（7）包括竖向栅极（71）以及第二栅介质层（72）；所述第二栅介质层（72）的底部与所述第二漂移区（3）接触，和/或，所述第二栅介质层（72）的底部与所述第一栅介质层（42）接触；其中，所述竖向栅极（71）连接第二栅电极，所述横向栅极（41）连接第一栅电极；所述第二栅电极以及所述第一栅电极用于分别连接不同的电压；

源极电极（8），穿通所述源区（6）与部分所述体区（5），所述体区（5）和源区（6）分别与所述源极电极（8）电连接。

2.如权利要求1所述的双沟道MOSFET器件，其特征在于，所述横向沟槽栅（4）的厚度小于或等于所述第二漂移区（3）的厚度；和/或，所述第二漂移区（3）的掺杂浓度大于所述第一漂移区（2）的掺杂浓度。

3.如权利要求1所述的双沟道MOSFET器件，其特征在于，所述横向栅极（41）的宽度大于所述竖向栅极（71）的宽度，所述横向栅极（41）的一个侧面与所述竖向栅极（71）的同侧的侧面位于同一面上。

4.如权利要求3所述的双沟道MOSFET器件，其特征在于，所述第一栅介质层（42）的一个侧面与所述第二栅介质层（72）的同侧的侧面位于同一面上。

5.如权利要求1所述的双沟道MOSFET器件，其特征在于，所述第一栅介质层（42）与所述体区（5）接触，所述第二栅介质层（72）的底部与所述第一栅介质层（42）接触。

6.如权利要求5所述的双沟道MOSFET器件，其特征在于，所述第一栅介质层（42）与所述第一漂移区（2）接触，所述横向沟槽栅（4）的厚度等于所述第二漂移区（3）的厚度。

7.一种双沟道MOSFET器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底具有第二导电类型，用于在双沟道MOSFET器件中作为漏区（1）；

在所述衬底上形成第一漂移区（2），所述第一漂移区（2）具有第二导电类型；

在所述第一漂移区（2）上形成横向沟槽栅（4）以及第二漂移区（3），其中，所述横向沟槽栅（4）位于所述第二漂移区（3）中；所述横向沟槽栅（4）包括横向栅极（41）以及第一栅介质层（42）；所述横向沟槽栅（4）的厚度小于自身的宽度；

在所述第二漂移区（3）上形成体区（5），在所述体区（5）上形成源区（6），所述源区（6）具有第二导电类型，所述体区（5）具有第一导电类型，所述第一导电类型和第二导电类型属于不同的半导体导电类型；

形成穿通所述源区（6）以及体区（5）的竖向沟槽栅（7），所述竖向沟槽栅（7）包括竖向栅极（71）以及第二栅介质层（72）；所述第二栅介质层（72）的底部与所述第二漂移区（3）接触，或所述第二栅介质层（72）的底部与所述第一栅介质层（42）接触；其中，所述竖向栅极（71）连接第二栅电极，所述横向栅极（41）连接第一栅电极；所述第二栅电极以及所述第一栅电极用于分别连接不同的电压；

形成穿通所述源区（6）与部分所述体区（5）的源极电极（8），所述体区（5）和源区（6）分别与所述源极电极（8）电连接。