[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210630986.5 | 申请日： | 2022-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN115020474A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 方明旭;许昭昭;田甜;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其形成方法包括：形成衬底上的栅极结构、栅极结构一侧的体区内的源极和栅极结构另一侧的漂移区内的漏极，漂移区内还具有第一轻掺杂区，第一轻掺杂区包围漏极且与漏极相接触，部分栅极结构位于第一区上，且另一部分栅极结构层还位于第二区上，体区具有第一导电类型，漂移区、第一轻掺杂区、源极和漏极具有第二导电类型，第一导电类型与第二导电类型不同，漂移区具有第一掺杂浓度，漏极具有第二掺杂浓度，第一轻掺杂区具有第三掺杂浓度，第一掺杂浓度低于第三掺杂浓度，第三掺杂浓度低于第二掺杂浓度，有利于提升器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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