[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括相邻的第一区和第二区；

位于所述衬底上的栅极结构，部分所述栅极结构位于所述第一区上，且另一部分所述栅极结构层还位于所述第二区上；

位于所述第一区内的体区，所述体区具有第一导电类型；

位于所述第二区内的漂移区，所述漂移区具有第二导电类型，所述第一导电类型与所述第二导电类型不同，所述漂移区具有第一掺杂浓度；

位于所述栅极结构两侧的所述衬底内的漏极和源极，所述源极位于所述体区内，所述漏极位于所述漂移区内，所述源极和所述漏极具有第二导电类型，所述漏极具有第二掺杂浓度；

位于所述漂移区内的第一轻掺杂区，所述第一轻掺杂区包围所述漏极且与所述漏极相接触，所述第一轻掺杂区具有第二导电类型，所述第一轻掺杂区具有第三掺杂浓度，所述第一掺杂浓度低于所述第三掺杂浓度，所述第三掺杂浓度低于所述第二掺杂浓度。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括栅氧层和位于所述栅氧层上的栅极层。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构还包括介质层，所述介质层位于部分所述栅极层表面，且向所述漏极的方向延伸至所述衬底表面。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，在沿所述衬底表面方向上，所述第一轻掺杂区距离所述栅极结构的尺寸范围为0μm至3μm。

5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第三掺杂浓度范围为5E15atom/cm³至1E17atom/cm³。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一轻掺杂区的掺杂深度范围为30nm至250nm；所述第一轻掺杂区的掺杂宽度范围为160nm至1000nm。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底上还包括第三区；所述第三区上具有CMOS器件。

9.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括相邻的第一区和第二区；

在所述第一区内形成体区，所述体区具有第一导电类型；

在所述第二区内形成漂移区，所述漂移区具有第二导电类型，所述第一导电类型与所述第二导电类型不同，所述漂移区具有第一掺杂浓度；

形成所述衬底上的栅极结构、所述栅极结构一侧的所述体区内的源极和所述栅极结构另一侧的所述漂移区内的漏极，所述漂移区内还具有第一轻掺杂区，所述第一轻掺杂区包围所述漏极且与所述漏极相接触，部分所述栅极结构位于所述第一区上，且另一部分所述栅极结构层还位于所述第二区上，所述体区具有第一导电类型，所述漂移区、所述第一轻掺杂区、所述源极和所述漏极具有第二导电类型，所述第一导电类型与所述第二导电类型不同，所述漂移区具有第一掺杂浓度，所述漏极具有第二掺杂浓度，所述第一轻掺杂区具有第三掺杂浓度，所述第一掺杂浓度低于所述第三掺杂浓度，所述第三掺杂浓度低于所述第二掺杂浓度。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅氧层和位于所述栅氧层上的栅极层。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一轻掺杂区的形成方法包括：在形成所述栅极层之前，形成所述第一轻掺杂区。

12.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述栅极层之后，形成所述第一轻掺杂区。