[发明专利]三维存储器及其制备方法以及存储系统在审
| 申请号： | 202210604214.4 | 申请日： | 2022-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN115036291A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 韩玉辉 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L29/423;H01L21/768;H01L21/28;G11C5/02;G11C5/06 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供三维存储器及其制备方法以及存储系统。所述三维存储器包括叠层结构、存储沟道结构以及顶部选择栅接触结构。叠层结构形成在衬底上，并且叠层结构包括顶部选择栅极。多个存储沟道结构贯穿叠层结构并延伸至衬底。顶部选择栅接触结构位于第一方向上的两相邻的存储沟道结构之间，顶部选择栅接触结构贯穿延伸至顶部选择栅极，并与顶部选择栅极电连接。其中，第一方向为衬底的延伸方向。根据本申请的三维存储器及其制备方法通过将顶部选择栅接触结构也设置在核心区，可以有效地减小顶部选择栅的驱动长度，提高控制顶部选择栅的开关速率。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制备 方法 以及 存储系统 | ||
【主权项】：
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