[发明专利]存储器器件、半导体管芯及半导体结构的制造方法在审
| 申请号： | 202210503795.2 | 申请日： | 2022-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN115000044A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 邱荣标;陈佑升 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L21/768;H01L27/22;H01L27/24 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储器器件包括晶体管和设置在晶体管上并与晶体管电性耦合的存储单元阵列。存储单元阵列包括多个字线、多个位线柱以及插设在字线和位线柱之间多个数据储存层。在存储单元阵列的奇数阶层上的字线的第一部分沿第一方向定向，而在存储单元阵列的偶数阶层上的字线的第二部分沿第二方向定向，第二方向与第一方向成角度偏移。位线柱贯穿奇数阶层和偶数阶层，位线柱中的每一个被数据储存层中的任一个包围。另提供半导体管芯和半导体结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 器件 半导体 管芯 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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