[发明专利]高频场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210471231.5 | 申请日： | 2022-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN114975637A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 周闯杰;蔚翠;何泽召;郭建超;马孟宇;刘庆彬;余浩;高学栋;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812;H01L29/66;H01L29/423;H01L29/16;H01L29/06 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 刘少卿 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了高频场效应晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在金刚石衬底上形成氢终端；在氢终端上表面形成源极与漏极金属层，源极与漏极间隔设置，形成源漏欧姆接触；在氢终端上表面形成第一钝化层，在第一钝化层与栅极对应的区域，形成有裸露氢终端的栅槽；在氢终端上和栅槽内形成栅金属层；在第一钝化层上形成第二钝化层，在第二钝化层与源极与漏极对应的区域，形成有裸露源极与漏极的刻蚀图形；根据刻蚀图形，刻蚀形成源极与漏极。本申请通过采用可控的介质代替不可控的空气气氛吸附，通过低损伤的湿法腐蚀实现介质的刻蚀，从而实现基于氢终端金刚石衬底高频场效应晶体管的低损伤制备。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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