[发明专利]一种晶圆及提升电镀凸块高度均匀性的方法有效
| 申请号： | 202210436394.X | 申请日： | 2022-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN114551246B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 李春阳;方梁洪;彭祎;罗立辉 | 申请（专利权）人： | 宁波芯健半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498;C25D5/02;C25D7/12 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 张倚嘉 |
| 地址： | 315000 浙江省宁波市宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种晶圆及提升电镀凸块高度均匀性的方法，涉及半导体封装的领域，其包括以下步骤：获取高度差信息；于产品晶圆上溅射形成电镀种子层；形成初始光阻层；于初始光阻层的开口处电镀形成金属垫块；形成最终光阻层，最终光阻层上设置有开口，以露出所有成型金属凸块对应的焊盘；于最终光阻层的开口处电镀形成初步金属凸块，所述初步金属凸块包括铜柱和锡帽，锡帽设于铜柱远离电镀种子层的一侧；去除最终光阻层和电镀种子层；将产品晶圆回流形成成型金属凸块。本申请具有使得电镀完成后回流的不同尺寸之间的电镀凸块最终的高度相同，提高了电镀的金属凸块高度的均匀性的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 电镀 高度 均匀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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