[发明专利]一种晶圆及提升电镀凸块高度均匀性的方法有效
申请号: | 202210436394.X | 申请日: | 2022-04-25 |
公开(公告)号: | CN114551246B | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 李春阳;方梁洪;彭祎;罗立辉 | 申请(专利权)人: | 宁波芯健半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498;C25D5/02;C25D7/12 |
代理公司: | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人: | 张倚嘉 |
地址: | 315000 浙江省宁波市宁波*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提升 电镀 高度 均匀 方法 | ||
1.一种提升电镀凸块高度均匀性的方法,应用于具有同一芯片(1)的晶圆,其特征在于,包括以下步骤:
获取不同尺寸的成型金属凸块之间的高度差信息,定义高度最高的成型金属凸块为目标金属凸块(3),定义其余的成型金属凸块为区别金属凸块(2);
于产品晶圆上溅射形成电镀种子层(7);
于电镀种子层(7)上涂胶、曝光、显影形成初始光阻层(8),所述初始光阻层(8)上设置有开口,以露出区别金属凸块(2)对应的焊盘(4);
于初始光阻层(8)的开口处电镀形成金属垫块(9),其中,金属垫块(9)的高度等于高度差信息所对应的高度值;
去除初始光阻层(8)后重新于电镀种子层(7)上涂胶、曝光、显影形成最终光阻层(10),所述最终光阻层(10)上设置有开口,以露出所有成型金属凸块对应的焊盘(4);
于最终光阻层(10)的开口处电镀形成初步金属凸块;
去除最终光阻层(10)和电镀种子层(7);
将产品晶圆回流形成成型金属凸块;
若存在至少三种尺寸的金属凸块时,高度差信息的获取方法包括以下步骤:
将不同尺寸的成型金属凸块按照尺寸从大到小进行排序以形成成型金属凸块序列;
将成型金属凸块序列中的成型金属凸块逐一计算与目标金属凸块(3)之间的目标高度差以形成目标高度差序列;
计算目标高度差序列中的目标高度差之间的平均值以形成目标高度差信息;
若存在至少三种尺寸的金属凸块时,于初始光阻层(8)的开口处电镀形成金属垫块(9)以及去除初始光阻层(8)后重新于电镀种子层(7)上涂胶、曝光、显影形成最终光阻层(10),最终光阻层(10)上设置有开口,以露出所有成型金属凸块对应的焊盘(4)的步骤之间还可以包括以下步骤:
根据成型金属凸块序列中相邻的成型金属凸块以计算相邻高度差信息以形成相邻高度差序列;
根据成型金属凸块序列中的当前成型金属凸块以及与该当前成型金属凸块相互对应的相邻高度差序列中的相邻高度差信息以依次执行光阻层成型步骤、金属垫块(9)成型步骤;
其中,光阻层成型步骤包括:
于电镀种子层(7)上涂胶、曝光、显影形成光阻层,所述光阻层上设置有开口,以露出成型金属凸块序列中当前成型金属凸块之后的成型金属凸块所对应的焊盘(4);
其中,金属垫块(9)成型步骤包括:
根据与当前成型金属凸块以及与当前成型金属图像相对应的相邻高度差信息以于光阻层的开口处电镀形成对应的金属垫块(9);
根据成型金属凸块序列中的成型金属凸块以及相邻高度差序列中的相邻高度差信息依次重复执行光阻层成型步骤、金属垫块(9)成型步骤,直至形成最终光阻层(10)。
2.根据权利要求1所述的一种提升电镀凸块高度均匀性的方法,其特征在于,获取成型金属凸块的高度差信息的方法包括:
于测试晶圆上溅射形成电镀种子层(7);
于电镀种子层(7)上涂胶、曝光、显影形成最终光阻层(10),所述最终光阻层(10)上设置有开口,以露出所有成型金属凸块对应的焊盘(4);
于最终光阻层(10)的开口处电镀形成初步金属凸块;
去除最终光阻层(10)后将测试晶圆回流形成成型金属凸块;
测量成型金属凸块的高度后计算得到高度差信息。
3.根据权利要求1所述的一种提升电镀凸块高度均匀性的方法,其特征在于:所述初始光阻层(8)的开口和区别金属凸块(2)一一对应,且开口尺寸均大于区别金属凸块(2)的尺寸,所述最终光阻层(10)的开口尺寸等于对应的所有金属凸块的尺寸。
4.根据权利要求2所述的一种提升电镀凸块高度均匀性的方法,其特征在于:于测试晶圆或者产品晶圆上溅射形成电镀种子层(7)前,包括以下步骤:通过涂胶、曝光、显影和固化形成PI保护层(6),所述PI保护层(6)上设置有开口,以露出所有成型金属凸块对应的焊盘(4)。
5.根据权利要求1所述的一种提升电镀凸块高度均匀性的方法,其特征在于:所述光阻层的开口尺寸在对应金属垫块(9)的位置处逐渐减小,且最终光阻层(10)的开口尺寸等于对应的所有金属凸块的尺寸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造