[发明专利]一种半导体结构的制作方法在审
| 申请号： | 202210433054.1 | 申请日： | 2022-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN114530417A | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 陈维邦;郑志成 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的制作方法。该半导体结构的制作方法中，提供的基底上形成有间隔分布的多个鳍部，多个鳍部包括位于第一元件区的第一鳍部和位于第二元件区的第二鳍部；然后形成填充材料层，填充材料层填满多个鳍部之间的凹槽；接着刻蚀去除部分厚度的填充材料层，剩余的填充材料层作为隔离材料层，其中，第一元件区和第二元件区上的隔离材料层的厚度不同，第一鳍部从隔离材料层上表面露出的高度和第二鳍部从隔离材料层上表面露出的高度不相等，从而可以在同一基底上形成露出高度不同的鳍部以形成不同特性的FinFET，实现了不同FinFET并存的目标，实现了半导体结构功能的多元化且减少了半导体结构的使用面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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