[发明专利]一种超低比导的超结MOSFET及其制备方法有效
| 申请号： | 202210370727.3 | 申请日： | 2022-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN114464670B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 杨国江;于世珩 | 申请（专利权）人： | 江苏长晶科技股份有限公司;江苏长晶浦联功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 奚铭 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市中国（江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种超低比导的超结MOSFET及其制备方法，第一导电类型半导体掺杂柱区的顶部具有第二导电类型半导体基区，第二导电类型半导体柱区的上方具有沟槽型多晶硅栅电极，多晶硅栅电极的全部侧面和底面被栅介质层所包围，在第一导电类型半导体掺杂柱区和第二导电类型半导体柱区之间具有低掺杂的半导体中间层，半导体中间层位于第二导电类型半导体基区的下方，且半导体中间层的顶部包裹栅介质层底部拐角，半导体中间层从顶部到底部，越靠近底部，横向尺寸越小。本发明提出一种新结构及其工艺制备方法，降低挖槽工艺难度的同时，获得更低的导通电阻和更高的击穿电压及可靠性，尤其可适用于元胞pitch在5μm以下的超结MOSFET。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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