[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210364528.1 | 申请日： | 2022-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN115132668A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 陈俊瑜;蔡俊琳;王云翔;吴佳勲;余俊磊;陈柏智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 朱亦林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体结构及其形成方法。在一些实施例中，本公开涉及一种半导体结构。该半导体结构包括堆叠半导体衬底，该堆叠半导体衬底具有设置在基础半导体衬底之上的半导体材料。该基础半导体衬底具有第一热膨胀系数并且半导体材料具有第二热膨胀系数，该第二热膨胀系数不同于第一热膨胀系数。该堆叠半导体衬底包括一个或多个侧壁，该一个或多个侧壁限定止裂环沟槽，该止裂环沟槽在堆叠半导体衬底的中心区域和堆叠半导体衬底的围绕中心区域的外围区域之间的闭合路径中连续地延伸。堆叠半导体衬底的外围区域包括多个裂纹，而中心区域基本上没有裂纹。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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