[发明专利]半导体工艺用抛光组合物以及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202210347716.3 | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN115197645A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 洪承哲;韩德洙;朴韩址;权璋国 | 申请（专利权）人： | SKC索密思株式会社 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;B24B37/04;B24B37/005;B24B49/00;B24B49/16;H01L21/321;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 赵瑞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体工艺用抛光组合物以及半导体器件的制造方法。所述半导体工艺用抛光组合物在抛光工艺中防止抛光颗粒重新吸附于晶片上，从而防止晶片缺陷，抛光率、选择比等提高，并且分散性提高。另外，当使用半导体工艺用抛光组合物来制备半导体器件时，即使在钨、扩散防止膜、绝缘膜全部存在的表面，也能够以优异的选择比进行平坦化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 抛光 组合 以及 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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