[发明专利]半导体工艺用抛光组合物以及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体工艺用抛光组合物，其中，

所述半导体工艺用抛光组合物包含抛光颗粒和表面活性剂，

所述半导体工艺用抛光组合物100ml与超纯水以1：30的重量比混合来进行稀释，

通过利用大颗粒计数器进行测量，稀释的所述半导体工艺用抛光组合物的下式1的值为0.01至0.14，

式1：

在所述式1中，

X为由大颗粒计数器测量的直径为1μm以上的颗粒的数量，

Y为由大颗粒计数器测量的直径为0.7μm以上的颗粒的数量，

P为相对于半导体工艺用抛光组合物的溶剂100重量份的抛光颗粒的重量份，

A为相对于半导体工艺用抛光组合物的溶剂100重量份的表面活性剂的重量份。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其中，

所述抛光颗粒包含与颗粒表面键合的官能团，

所述官能团包含末端胺基。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺用抛光组合物，其中，

与所述颗粒表面键合的所述官能团包括以下化学式1的结构，

化学式1：

在所述化学式1中，

*表示与抛光颗粒的表面键合的部分，

R₁和R₂彼此相同或者不同，分别独立地选自由氢、被取代或未被取代的碳原子数为1至10的烷基、被取代或未被取代的碳原子数为3至10的环烷基、被取代或未被取代的碳原子数为2至10的烯基以及被取代或未被取代的碳原子数为2至10的炔基组成的组，

L₁选自由被取代或未被取代的碳原子数为1至10的亚烷基、被取代或未被取代的碳原子数为2至10的亚烯基、被取代或未被取代的碳原子数为2至10的亚炔基以及被取代或未被取代的碳原子数为3至10的亚环烷基组成的组。

4.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其中，

所述抛光颗粒选自由金属氧化物、有机颗粒、有机-无机复合颗粒以及它们的混合组成的组。

5.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其中，

所述半导体工艺用抛光组合物即使储存6个月以上，D₅₀的粒度分布值的变化也保持在5％以下。

6.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其中，

所述半导体工艺用抛光组合物还包含螯合剂。

7.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其中，

所述半导体工艺用抛光组合物还包含pH调节剂。

8.一种半导体器件的制造方法，其中，包括：

步骤1)，提供包括抛光层的抛光垫，

步骤2)，向所述抛光垫提供半导体工艺用抛光组合物，以及

步骤3)，在所述抛光层的抛光面和抛光对象的被抛光面接触的状态下，在使所述抛光层与所述抛光对象相对旋转的同时抛光所述抛光对象，

所述半导体工艺用抛光组合物100ml与超纯水以1：30的重量比混合来进行稀释，

通过利用大颗粒计数器进行测量，稀释的所述半导体工艺用抛光组合物的下式1的值为0.01至0.14，

式1：

在所述式1中，

X为由大颗粒计数器测量的直径为1μm以上的颗粒的数量，

Y为由大颗粒计数器测量的直径为0.7μm以上的颗粒的数量，

P为相对于半导体工艺用抛光组合物的溶剂100重量份的抛光颗粒的重量份，

A为相对于半导体工艺用抛光组合物的溶剂100重量份的表面活性剂的重量份。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述抛光对象为厚度为的钨晶片，并且在压力为2.2psi，载体速度为103rpm，平台速度为57rpm，以300ml/min的流速提供所述半导体工艺用抛光组合物的条件下对所述钨晶片进行60秒抛光，

在抛光过程中，对钨膜的抛光率为至

10.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述抛光对象为厚度为的氧化硅膜晶片，并且在压力为2.2psi，载体速度为103rpm，平台速度为57rpm，以300ml/min的流速提供所述半导体工艺用抛光组合物的条件下对所述氧化硅膜晶片进行60秒抛光，

在抛光过程中，对氧化硅膜的抛光率为至