[发明专利]半导体工艺用抛光组合物以及半导体器件的制造方法

说明书

本发明涉及一种半导体工艺用抛光组合物以及半导体器件的制造方法。所述半导体工艺用抛光组合物在抛光工艺中防止抛光颗粒重新吸附于晶片上，从而防止晶片缺陷，抛光率、选择比等提高，并且分散性提高。另外，当使用半导体工艺用抛光组合物来制备半导体器件时，即使在钨、扩散防止膜、绝缘膜全部存在的表面，也能够以优异的选择比进行平坦化。

技术领域

本发明涉及一种半导体工艺用抛光组合物以及使用抛光组合物的半导体器件的制造方法。

背景技术

随着半导体器件更加微细化和高密度化，正在使用更加精细的图案形成技术。随之半导体器件的表面结构变得更加复杂，层间膜的高低差进一步增加。作为用于在半导体器件的制造过程中去除形成在基板上的特定膜的高低差的平坦化技术，使用化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing：以下称为“CMP”)工艺。

在CMP工艺中，在抛光垫上提供浆料，同时对基板进行加压、旋转，从而实现其表面的抛光。待平坦化的对象根据工艺阶段而不同，此时所使用浆料的物性也存在差异。

具体而言，CMP工艺不仅使用于氧化硅膜(SiO₂)、氮化硅膜(SiN)等电介质的平坦化，还主要使用于钨(W)、铜(Cu)等金属布线的平坦化工艺。

以钨阻挡金属层(Tungsten barrier metal layer)CMP为例，不仅是钨(W)膜质，氧化硅膜和用作阻挡金属膜质的钛/氮化钛膜质三种膜质同时暴露于CMP工艺。

为了以所期望的选择比抛光所述三种膜质，并确保减少凹陷和缺陷水平的性能，需要一种高水平的技术。

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于提供一种半导体工艺用抛光组合物以及使用抛光组合物的半导体器件的制造方法。

本发明的另一目的在于提供一种在抛光工艺中防止抛光颗粒重新吸附于晶片上，以防止晶片缺陷，并且抛光率、选择比等得到提高以及分散性得到改善的半导体工艺用抛光组合物。

本发明的另一目的在于提供一种使用半导体工艺用抛光组合物的半导体器件的制造方法。

用于解决问题的手段

为达成所述目的，作为本发明的一具体示例，提供一种半导体工艺用抛光组合物，其中，所述半导体工艺用抛光组合物100ml与超纯水以1：30的重量比混合来进行稀释，通过利用大颗粒计数器(LPC，Large Particle Counter)进行测量，稀释的所述半导体工艺用抛光组合物的下式1的值为0.01至0.14：

式1：

在所述式1中，X为由LPC测量的直径为1μm以上的颗粒的数量，Y为由LPC测量的直径为0.7μm以上的颗粒的数量，P为相对于半导体工艺用抛光组合物的溶剂100重量份的抛光颗粒的重量份，A为相对于半导体工艺用抛光组合物的溶剂100重量份的表面活性剂的重量份。

作为本发明的另一具体示例，半导体器件的制造方法包括：步骤1)，提供包括抛光层的抛光垫，步骤2)，向所述抛光垫提供半导体工艺用抛光组合物，以及步骤3)，在所述抛光层的抛光面和抛光对象的被抛光面接触的状态下，在使所述抛光层与所述抛光对象相对旋转的同时抛光所述抛光对象。

发明效果

本发明的半导体工艺用抛光组合物在抛光工艺中防止抛光颗粒重新吸附于晶片上，从而防止晶片缺陷，抛光率，选择比等提高，分散性提高。

另外，当使用半导体工艺用抛光组合物来制造半导体器件时，即使在钨、扩散防止膜、绝缘膜全部存在的表面，也能够以优异的选择比进行平坦化。

附图说明