[发明专利]半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202210336009.4 | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN114496925B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 孟娟;许春龙;杨宗凯;陈信全;李波 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/027;H01L21/265;H01L21/324;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，所述半导体结构的制备方法包括：提供一衬底；提供第一光阻层，以第一光阻层为掩膜对衬底进行刻蚀和填充，形成多个浅沟槽隔离结构；未用光罩对衬底进行P型离子注入，形成无光罩P型阱；提供第二光阻层，以第二光阻层为掩膜进行N型离子注入，形成多个间隔分布的中压晶体管N型区域以及位于每个中压晶体管N型区域下方的深N型阱区；提供第三光阻层，以第三光阻层为掩膜进行P型离子和N型离子注入，形成多个中压晶体管P型区域以及位于每个中压晶体管P型区域下方的深N型阱区；对衬底进行高温退火，使得深N型阱区连接在一起。本发明的半导体结构的制备方法可以节省使用的光罩数量，缩短工艺周期。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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