[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210331150.5 | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN114883282A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 熊德智;李怡鸿;詹益瑞;涂元添 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括金属栅极、源极/漏极接触件、接触件第一互连结构及第二互连结构。对接接触件(BCT)的第一互连结构(例如，栅极互连结构)被蚀刻和填充。之后回蚀第一互连结构，从而去除第一互连结构的一部分，之后填充第二互连结构和第一互连结构的剩余部分。如此，相对于在单一沉积操作中完全填充第二互连结构和完全填充第一互连结构，当填充第二互连结构时，第一互连结构的剩余待填充部分的高度更接近于第二互连结构的高度。其降低在完全填充第一互连结构之前，填充第二互连结构将闭合第一互连结构的可能性，否则将导致在第一互连结构中形成空隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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