[发明专利]氧化钇材料在制备晶体管中的应用、晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210290818.6 | 申请日： | 2022-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN116867341A | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 梁世博;谢雨农;杨英君;赵俊峰;唐文涛;罗时江 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司;北京元芯碳基集成电路研究院 |
| 主分类号： | H10K71/20 | 分类号： | H10K71/20;H10K10/46;H10K71/60 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 李稷芳 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请实施例提供了氧化钇材料在制备晶体管中的应用，其中，氧化钇材料可以用作制备晶体管过程中的硬掩膜。采用氧化钇材料作晶体管制造过程中的硬掩膜，可以解决光刻胶作为晶体管的微结构的刻蚀掩膜时存在的抗刻蚀能力不足、残余物难以去除的问题，以及解决常规的无机硬掩膜存在的热预算过高、可能破坏晶体管结构的问题。本申请实施例还提供了晶体管及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化钇 材料 制备 晶体管 中的 应用 及其 方法 | ||
【主权项】：
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- 胡海龙;李福山;郄媛;李仁杰;郭太良 - 福州大学
- 2022-12-08 - 2023-01-31 - H10K71/20
- 本发明提出一种QLED阵列器件的直接光刻法制备方法，包括：在透明导电衬底的ITO层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层和图案化发光层、电子传输层、金属阴极。其中，图案化发光层是通过将含光敏剂的可交联半导体聚合物和量子点共混形成墨水，经过旋涂、曝光和显影后实现。本发明不仅对量子点表面配体无损害，不限制量子点种类以及配体类型，也有利于提高空穴传输能力，以制备出高性能图案化QLED器件。
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