[发明专利]碳化硅外延基板及其制造方法在审
| 申请号： | 202210257615.7 | 申请日： | 2022-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN115132818A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 三浦刚;市川穂高;木村直矢;奥田裕之;广冈泰典 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/16;H01L29/34;H01L21/02;C30B29/36;C30B23/02 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;谢弘 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供能够使高品质的碳化硅单晶快速生长的碳化硅单晶的制造方法。碳化硅外延基板(10)包括具有第一面的碳化硅基板(20)和位于第一面的碳化硅外延层(30)，第一面(20a)为(000－1)C面，在碳化硅外延层的上表面(30a)，线状表面缺陷密度小于1.0cm |
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| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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