[发明专利]碳化硅外延基板及其制造方法

权利要求书

1.一种碳化硅外延基板，其特征在于，具有：

具有第一面的碳化硅基板；和

位于所述第一面的碳化硅外延层，

所述第一面为(000－1)C面，

在所述碳化硅外延层的上表面，线状表面缺陷密度小于1.0cm^-2，并且叠层缺陷密度小于1.2cm^-2。

2.如权利要求1所述的碳化硅外延基板，其特征在于：

所述线状表面缺陷密度小于0.5cm^-2。

3.如权利要求1所述的碳化硅外延基板，其特征在于：

所述线状表面缺陷密度小于0.35cm^-2。

4.如权利要求1～3中任一项所述的碳化硅外延基板，其特征在于：

所述叠层缺陷密度小于1.0cm^-2。

5.如权利要求1～3中任一项所述的碳化硅外延基板，其特征在于：

所述叠层缺陷密度小于0.35cm^-2。

6.如权利要求1～5中任一项所述的碳化硅外延基板，其特征在于：

所述碳化硅基板的所述第一面的基底面位错密度小于3000cm^-2。

7.如权利要求1～5中任一项所述的碳化硅外延基板，其特征在于：

所述碳化硅基板的所述第一面的基底面位错密度小于2000cm^-2。

8.如权利要求6或7所述的碳化硅外延基板，其特征在于：

所述线状表面缺陷密度相对于所述碳化硅基板的所述第一面的基底面位错密度的比例小于0.04％。

9.如权利要求6或7所述的碳化硅外延基板，其特征在于：

所述叠层缺陷密度相对于所述碳化硅基板的所述第一面的基底面位错密度的比例小于0.05％。

10.如权利要求1～9中任一项所述的碳化硅外延基板，其特征在于：

所述第一面具有4°以下的偏角。

11.如权利要求1～10中任一项所述的碳化硅外延基板，其特征在于：

所述第一面的表面粗糙度Ra为1nm以下。

12.一种碳化硅外延基板的制造方法，其特征在于，包括：

准备第一面为(000－1)C面的碳化硅基板的工序；和

在生长室内保持所述碳化硅基板，向所述生长室内导入以C/Si比为1以上1.6以下的比率含有碳和硅的气体，使碳化硅外延层在所述第一面上生长的工序。

13.如权利要求12所述的碳化硅外延基板的制造方法，其特征在于：

所述碳化硅基板的所述第一面的基底面位错密度小于3000cm^-2。

14.如权利要求12所述的碳化硅外延基板的制造方法，其特征在于：

所述碳化硅基板的所述第一面的基底面位错密度小于2000cm^-2。

15.如权利要求12～14中任一项所述的碳化硅外延基板的制造方法，其特征在于：

所述第一面具有4°以下的偏角。

16.如权利要求12～15中任一项所述的碳化硅外延基板的制造方法，其特征在于：

所述第一面的表面粗糙度Ra为1nm以下。