[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210233155.4 | 申请日： | 2022-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN116779566A | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 许增升;张浩;段超;王晓娟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底包括衬底、器件结构和导电层，并且，所述基底内具有暴露表面的第一导电结构；在所述基底和第一导电结构上形成介电层，所述介电层内具有第一开口；在所述第一开口的侧壁面形成粘附层；形成所述粘附层后，采用选择性金属化学气相沉积工艺，在第一开口内形成初始第二导电结构，所述初始第二导电结构的底部与第一导电结构的暴露的表面接触；平坦化所述初始第二导电结构。从而，提高了半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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