[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202210219607.3 申请日: 2022-03-08
公开(公告)号: CN115117002A 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 舘毅 申请(专利权)人: 罗姆股份有限公司
主分类号: H01L23/49 分类号: H01L23/49;H01L23/31
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 奚勇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种能够实现薄型化的半导体装置。本发明的半导体装置具备:开关器件(B1),具有在z方向上彼此朝向相反侧的第1器件面(6a)及第2器件面(6b)、以及配置在第1器件面(6a)的漏极电极(71)、源极电极(72)及栅极电极(73);第1引线(1),与漏极电极(71)导通接合;第2引线(2),与源极电极(72)导通接合;第3引线(3),与栅极电极(73)导通接合;及树脂部(9),覆盖开关器件(B1)与第1至第3引线(1~3)各自的一部分,且具有与第1器件面(6a)朝向同一侧的第1树脂面(91)及与第2器件面(6b)朝向同一侧的第2树脂面(92);且第1至第3引线(1~3)从第1树脂面(91)露出。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
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