[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种能够实现薄型化的半导体装置。本发明的半导体装置具备：开关器件(B1)，具有在z方向上彼此朝向相反侧的第1器件面(6a)及第2器件面(6b)、以及配置在第1器件面(6a)的漏极电极(71)、源极电极(72)及栅极电极(73)；第1引线(1)，与漏极电极(71)导通接合；第2引线(2)，与源极电极(72)导通接合；第3引线(3)，与栅极电极(73)导通接合；及树脂部(9)，覆盖开关器件(B1)与第1至第3引线(1～3)各自的一部分，且具有与第1器件面(6a)朝向同一侧的第1树脂面(91)及与第2器件面(6b)朝向同一侧的第2树脂面(92)；且第1至第3引线(1～3)从第1树脂面(91)露出。

技术领域

本公开涉及一种半导体装置。

背景技术

已对具备以晶体管为代表的半导体元件的半导体装置提出了各种构成。专利文献1中示出以往的半导体装置的一例。该文献中公开的半导体装置具备多个引线、及由引线支撑的半导体元件。半导体元件与各引线经由导线而导通。

[背景技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2021-027117号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

在该文献的半导体装置中，在引线的厚度方向上，排列有引线、半导体元件及导线。因此，半导体装置的厚度方向的大小增大。

本公开是在所述情况下想出的，其课题在于提供一种能够实现薄型化的半导体装置。

[解决问题的技术手段]

本公开所提供的半导体装置具备：开关器件，具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的第1器件面及第2器件面、以及配置在所述第1器件面的漏极电极、源极电极及栅极电极；第1引线，与所述漏极电极导通接合；第2引线，与所述源极电极导通接合；第3引线，与所述栅极电极导通接合；及树脂部，覆盖所述开关器件与所述第1至所述第3引线各自的一部分，且具有与所述第1器件面朝向同一侧的第1树脂面及与所述第2器件面朝向同一侧的第2树脂面；且所述第1至所述第3引线从所述第1树脂面露出。

[发明的效果]

根据本公开，能够实现半导体装置的薄型化。

本公开的其它特征及优点根据以下参照附图所进行的详细说明而变得更明确。

附图说明

图1是表示本公开的第1实施方式的半导体装置的俯视图。

图2是表示本公开的第1实施方式的半导体装置的仰视图。

图3是表示本公开的第1实施方式的半导体装置的主要部分俯视图。

图4是沿着图3的IV-IV线的剖视图。

图5是沿着图3的V-V线的剖视图。

图6是沿着图3的VI-VI线的剖视图。

图7是沿着图3的VII-VII线的剖视图。

图8是沿着图3的VIII-VIII线的剖视图。

图9是沿着图3的IX-IX线的剖视图。

图10是沿着图3的X-X线的剖视图。

图11是沿着图3的XI-XI线的剖视图。

图12是表示本公开的第1实施方式的半导体装置的开关器件的俯视图。

图13是表示本公开的第1实施方式的半导体装置的开关器件的仰视图。

图14是沿着图13的XIV-XIV线的剖视图。