[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

开关器件，具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的第1器件面及第2器件面、以及配置在所述第1器件面的漏极电极、源极电极及栅极电极；

第1引线，与所述漏极电极导通接合；

第2引线，与所述源极电极导通接合；

第3引线，与所述栅极电极导通接合；及

树脂部，覆盖所述开关器件与所述第1至所述第3引线各自的一部分，且具有与所述第1器件面朝向同一侧的第1树脂面及与所述第2器件面朝向同一侧的第2树脂面；且

所述第1至所述第3引线从所述第1树脂面露出。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述开关器件包含GaN-HEMT(HighElectron Mobility Transistor)。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述开关器件具有配置在所述第1器件面的源极感测电极，

所述半导体装置还具备与所述源极感测电极导通接合的第4引线，且

所述第4引线从所述第1树脂面露出。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中在所述厚度方向上观察时，所述第1至所述第4引线分别全部与所述树脂部重叠。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述第1引线具有在所述厚度方向上与所述开关器件对向的第1主面、及朝向与该第1主面相反的一侧的第1背面，

所述第1背面从所述第1树脂面露出，

所述第2引线具有在所述厚度方向上与所述开关器件对向的第2主面、及朝向与该第2主面相反的一侧的第2背面，

所述第2背面从所述第1树脂面露出，

所述第3引线具有在所述厚度方向上与所述开关器件对向的第3主面、及朝向与该第3主面相反的一侧的第3背面，

所述第3背面从所述第1树脂面露出，

所述第4引线具有在所述厚度方向上与所述开关器件对向的第4主面、及朝向与该第4主面相反的一侧的第4背面，且

所述第4背面从所述第1树脂面露出。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第1引线与所述第2引线是在与所述厚度方向正交的第1方向上相互分离而配置。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述漏极电极的所述第1方向上的尺寸比所述源极电极的所述第1方向上的尺寸小，且

所述第1主面的所述第1方向上的尺寸比所述第2主面的所述第1方向上的尺寸大。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第1引线具有在所述厚度方向上位于所述第1主面与所述第1背面之间的第1中间面，且

所述第1引线包含在所述厚度方向上观察时与所述第1主面及所述第1背面重叠的第1厚壁部、以及与所述第1主面及所述第1中间面重叠的第1薄壁部。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中在所述厚度方向上观察时，所述漏极电极与所述第1厚壁部重叠。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述第1薄壁部包含：延出部，从所述第1厚壁部朝沿所述厚度方向及所述第1方向正交的第2方向延出；及缘部，相对于所述延出部在所述第1方向上位于与所述第2引线相反的一侧。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述延出部的所述第1方向的尺寸比所述缘部的所述第1方向的尺寸小。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述第1引线与所述第2引线在所述第1方向上的距离比所述第1薄壁部的所述延出部的所述第1方向上的尺寸小。