[发明专利]一种基于二维层间滑移铁电半导体的场效应晶体管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210197028.3 | 申请日： | 2022-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN114709257A | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 刘富才;马博文;卞仁吉 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 叶盛 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出一种基于Ⅲ‑Ⅵ族材料(GaSe)层间滑移铁电场效应晶体管器件，利用该类材料中电场控制层间滑移实现极化翻转的特性，可以实现对沟道费米能级和电导率的调控，与传统铁电场效应晶体管相比，二维超薄铁电体可以显著缩小器件尺寸，增加有效栅电场，翻转或极化所需的电压可以进一步降低，从而可以实现低功耗存储。这种外加电场调控层间滑移的新型铁电场效应晶体管器件为实现高性能的铁电存储及高集成度的存储芯片提供了新平台。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 滑移 半导体 场效应 晶体管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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