[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 202210172878.8 | 申请日： | 2022-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN115799217A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 福岛崇;酒井裕司;糸川宽志;矶贝达典;泽部亮介 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H10B41/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种特性良好的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：多个导电层，沿第1方向排列；半导体层，沿第1方向延伸，且与多个导电层对向；电荷蓄积层，设置在多个导电层与半导体层之间；第1构造，在与第1方向交叉的第2方向上与半导体层相隔配置，沿与第1方向及第2方向交叉的第3方向延伸，且与多个导电层对向；以及多个第1氮化膜，覆盖多个导电层的与第1构造的对向面，且包含氮(N)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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