[发明专利]半导体存储装置

说明书

实施方式提供一种特性良好的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：多个导电层，沿第1方向排列；半导体层，沿第1方向延伸，且与多个导电层对向；电荷蓄积层，设置在多个导电层与半导体层之间；第1构造，在与第1方向交叉的第2方向上与半导体层相隔配置，沿与第1方向及第2方向交叉的第3方向延伸，且与多个导电层对向；以及多个第1氮化膜，覆盖多个导电层的与第1构造的对向面，且包含氮(N)。

[相关申请案]

本申请案享有以日本专利申请案2021-146058号(申请日：2021年9月8日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。

技术领域

本实施方式涉及一种半导体存储装置。

背景技术

已知一种半导体存储装置，具备沿第1方向排列的多个导电层、沿第1方向延伸且与多个导电层对向的半导体层、以及设置在多个导电层与半导体层之间的电荷蓄积层。

发明内容

实施方式提供一种特性良好的半导体存储装置。

一实施方式的半导体存储装置具备：多个导电层，沿第1方向排列；半导体层，沿第1方向延伸，且与多个导电层对向；电荷蓄积层，设置在多个导电层与半导体层之间；第1构造，在与第1方向交叉的第2方向上与半导体层相隔配置，沿与第1方向及第2方向交叉的第3方向延伸，且与多个导电层对向；以及多个第1氮化膜，覆盖多个导电层的与第1构造的对向面，且包含氮(N)。

另外，多个导电层也可以包含钼(Mo)及钌(Ru)中的至少1种。

另外，多个第1氮化膜也可以包含钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、硅(Si)、钛(Ti)及铝(Al)中的至少1种。

另外，多个导电层及多个第1氮化膜也可以共通包含钼(Mo)及钌(Ru)中的至少1种。

另外，也可以具备多个第2氮化膜，所述多个第2氮化膜覆盖多个导电层的在第1方向上的一侧及另一侧的面、以及与半导体层的对向面，且包含氮(N)。

另外，多个第2氮化膜也可以包含钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、硅(Si)、钛(Ti)及铝(Al)中的至少1种。

另外，多个导电层及多个第2氮化膜也可以共通包含钼(Mo)及钌(Ru)中的至少1种。

另外，多个第1氮化膜及多个第2氮化膜也可以共通包含钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、硅(Si)、钛(Ti)及铝(Al)中的至少1种。

另外，也可以具备设置在多个导电层中的在第1方向上相邻的2个导电层之间的第1绝缘层，且具备覆盖第1绝缘层的与第1构造的对向面且包含氮(N)的第3氮化膜。

另外，第3氮化膜也可以包含钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、硅(Si)及铝(Al)中的至少1种。

另外，也可以具备设置在多个导电层与半导体层之间且包含铝(Al)、铪(Hf)、锆(Zr)及La(镧)中的至少1种的第2绝缘层。

另外，第1氮化膜的膜厚也可以大于第2氮化膜的膜厚。

另外，第1氮化膜的膜厚也可以小于第2氮化膜的膜厚。

根据实施方式，能够提供一种特性良好的半导体存储装置。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体存储装置的一部分构成的示意性的电路图。

图2是表示该半导体存储装置的一部分构成的示意性的俯视图。

图3是表示该半导体存储装置的一部分构成的示意性的俯视图。

图4是表示该半导体存储装置的一部分构成的示意性的剖视图。