[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

多个导电层，沿第1方向排列；

半导体层，沿所述第1方向延伸，且与所述多个导电层对向；

电荷蓄积层，设置在所述多个导电层与所述半导体层之间；

第1构造，在与所述第1方向交叉的第2方向上与所述半导体层相隔配置，沿与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向延伸，且与所述多个导电层对向；以及

多个第1氮化膜，覆盖所述多个导电层的与所述第1构造的对向面，且包含氮(N)。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述多个导电层包含钼(Mo)及钌(Ru)中的至少1种。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中

所述多个第1氮化膜包含钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、硅(Si)、钛(Ti)及铝(Al)中的至少1种。

4.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中

所述多个导电层及所述多个第1氮化膜共通包含钼(Mo)及钌(Ru)中的至少1种。

5.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，

具备多个第2氮化膜，所述多个第2氮化膜覆盖所述多个导电层的在所述第1方向上的一侧及另一侧的面、以及与所述半导体层的对向面，且包含氮(N)。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中

所述多个第2氮化膜包含钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、硅(Si)、钛(Ti)及铝(Al)中的至少1种。

7.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中

所述多个导电层及所述多个第2氮化膜共通包含钼(Mo)及钌(Ru)中的至少1种。

8.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中

所述多个第1氮化膜及所述多个第2氮化膜共通包含钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、硅(Si)、钛(Ti)及铝(Al)中的至少1种。

9.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，

具备设置在所述多个导电层中的在所述第1方向上相邻的2个导电层之间的第1绝缘层，且

具备覆盖所述第1绝缘层的与所述第1构造的对向面且包含氮(N)的第3氮化膜。

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其中

所述第3氮化膜包含钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、硅(Si)及铝(Al)中的至少1种。

11.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，

具备设置在所述多个导电层与所述半导体层之间且包含铝(Al)、铪(Hf)、锆(Zr)及La(镧)中的至少1种的第2绝缘层。

12.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中

所述第1氮化膜的膜厚大于所述第2氮化膜的膜厚。

13.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中

所述第1氮化膜的膜厚小于所述第2氮化膜的膜厚。