[发明专利]半导体结构及制作方法在审
| 申请号： | 202210155893.1 | 申请日： | 2022-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN116666357A | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 徐屹东;许乐;付文 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/146;H01L21/768 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及制作方法，所述半导体结构包括：衬底，具有相对的第一/第二面；导电通孔结构，自所述第一面延伸至所述衬底内，且包括自下而上叠设的金属通孔及导电介质叠层；所述导电介质叠层包括第一/第二导电介质层，且第一导电介质层还设于所述第一面上。本发明适于根据不同应用场景的背照式图像传感器，合理选择适用的导电介质叠层，防止金属通孔与金属互连层扩散，同时增强与相邻的像素单元的隔离效果，同时进一步简化制作方法，确保产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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