[发明专利]半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统在审
| 申请号： | 202210141495.4 | 申请日： | 2022-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN114551457A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 黎姗;杜小龙;高庭庭;刘小欣;夏志良 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L29/06;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在提高三维存储器的稳定性。该制备方法包括：在衬底的一侧形成初始叠层结构，初始叠层结构包括交替叠置的栅替换层和初始栅介质层；形成沟道孔；在沟道孔内形成初始沟道结构，初始沟道结构包括依次设置的阻挡层和初始电荷存储层，其中，阻挡层与初始栅介质层在同一工艺条件下的刻蚀速率不同；去除初始栅介质层，以形成第一缝隙；通过第一缝隙对初始电荷存储层的目标部位进行绝缘处理，以使目标部位转化为隔离部；在第一缝隙内填充绝缘材料。上述半导体结构应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 三维 存储器 存储系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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