[发明专利]半导体芯片结构在审
申请号: | 202210061866.8 | 申请日: | 2022-01-19 |
公开(公告)号: | CN115036297A | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 朴相俊;金炳圭;金恩知;白承祐;赵星东 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜;王占杰 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种半导体芯片结构包括:第一半导体芯片,所述第一半导体芯片包括第一芯片区域和第一划线道区域;以及第二半导体芯片,所述第二半导体芯片包括分别接合到所述第一芯片区域和所述第一划线道区域的第二芯片区域和第二划线道区域。所述第一半导体芯片包括第一接合布线层,所述第一接合布线层包括第一接合绝缘层和位于第一接合绝缘层中的第一接合电极。所述第二半导体芯片包括第二接合布线层,所述第二接合布线层包括第二接合绝缘层和位于所述第二接合绝缘层和抛光停止图案中的第二接合电极。所述第一接合布线层的所述第一接合绝缘层和所述第一接合电极分别混合接合到所述第二接合布线层的所述第二接合绝缘层和所述第二接合电极。 | ||
搜索关键词: | 半导体 芯片 结构 | ||
【主权项】:
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