[发明专利]半导体芯片结构

说明书

一种半导体芯片结构包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括第一芯片区域和第一划线道区域；以及第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括分别接合到所述第一芯片区域和所述第一划线道区域的第二芯片区域和第二划线道区域。所述第一半导体芯片包括第一接合布线层，所述第一接合布线层包括第一接合绝缘层和位于第一接合绝缘层中的第一接合电极。所述第二半导体芯片包括第二接合布线层，所述第二接合布线层包括第二接合绝缘层和位于所述第二接合绝缘层和抛光停止图案中的第二接合电极。所述第一接合布线层的所述第一接合绝缘层和所述第一接合电极分别混合接合到所述第二接合布线层的所述第二接合绝缘层和所述第二接合电极。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年3月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2021-0030375的优先权，其内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本发明构思的实施例涉及半导体芯片结构，并且更具体地，涉及其中第一半导体芯片与第二半导体芯片彼此接合的半导体芯片结构。

背景技术

随着半导体芯片变得高度集成，已经提出了其中第一半导体芯片接合到第二半导体芯片的半导体芯片结构。通过将第一半导体芯片接合到第二半导体芯片而构造的半导体芯片结构应该具有良好的接合可靠性。当接合可靠性不良时，半导体芯片结构可能无法实现第一半导体芯片或第二半导体芯片的功能或性能。在常规半导体芯片结构中使用的半导体芯片中，最上面的最终布线图案可能在芯片区域和划线道区域之间具有台阶差。因此，在常规半导体芯片结构中使用的半导体芯片可能不能适当地彼此接合。

发明内容

本发明构思的实施例提供了在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间具有改善的接合可靠性的半导体芯片结构。

根据本发明构思的实施例，提供了一种半导体芯片结构，所述半导体芯片结构包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括第一芯片区域和第一划线道区域；以及第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括分别接合到所述第一半导体芯片的所述第一芯片区域和所述第一划线道区域的第二芯片区域和第二划线道区域。

所述第一半导体芯片包括：第一最终布线层，所述第一最终布线层包括第一最终布线图案和第一钝化层，所述第一钝化层使所述第一最终布线层绝缘；以及第一接合布线层，所述第一接合布线层形成在所述第一最终布线层上。所述第一接合布线层包括第一接合绝缘层和形成在所述第一接合绝缘层中的第一接合电极。

所述第二半导体芯片包括：第二最终布线层，所述第二最终布线层包括第二最终布线图案、形成在所述第二最终布线图案上的抛光停止图案以及使所述第二最终布线图案和所述抛光停止图案二者绝缘的第二钝化层；以及第二接合布线层，所述第二接合布线层形成在所述第二最终布线层上。所述第二接合布线层包括第二接合绝缘层和形成在所述第二接合绝缘层和抛光停止图案中的第二接合电极。

在半导体芯片结构中，所述第一接合布线层中的所述第一接合绝缘层和所述第一接合电极分别混合接合到所述第二接合布线层中的所述第二接合绝缘层和所述第二接合电极。

根据本发明构思的实施例，提供了一种半导体芯片结构，所述半导体芯片结构包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括第一芯片区域和第一划线道区域；以及第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括分别接合到所述第一半导体芯片的所述第一芯片区域和所述第一划线道区域的第二芯片区域和第二划线道区域。

所述第一半导体芯片包括：第一电路层，所述第一电路层形成在所述第一芯片区域和所述第一划线道区域上；第一最终布线层，所述第一最终布线层形成在所述第一电路层上，其中，所述第一最终布线层包括第一最终布线图案和使所述第一最终布线图案绝缘的第一钝化层；以及第一接合布线层，所述第一接合布线层形成在所述第一最终布线层上。所述第一接合布线层包括第一层间绝缘层、形成在所述第一层间绝缘层上的第一接合绝缘层以及形成在所述第一层间绝缘层和所述第一接合绝缘层中的第一接合电极。