[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202210049817.2 | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN114792723A | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 陈嘉伟;徐伟程;陈蕙祺;陈建豪;游国丰;邱诗航;王唯诚;陈彦儒 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括垂直堆叠的多个第一通道构件、垂直堆叠的多个第二通道构件、包裹环绕多个第一通道构件的每一者的n型功函数层、位于n型功函数层上方并包裹环绕多个第一通道构件的每一者的第一p型功函数层、包裹环绕多个第二通道构件的每一者的第二p型功函数层、位于第二p型功函数层上方并包裹环绕多个第二通道构件的每一者的第三p型功函数层、以及位于第一p型功函数层的顶部表面与第三p型功函数层的顶部表面上方的栅极覆盖层，使得栅极覆盖层电性耦接第一p型功函数层与第三p型功函数层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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