[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构

摘要

本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，制作方法包括，提供初始结构，初始结构包括叠层结构，叠层结构包括交替叠置的初始栅间介质层和第一牺牲层，初始栅间介质层包括第一栅介质层、第二牺牲层以及第二栅介质层；在叠层结构中形成沟道槽，沟道槽暴露出部分初始栅间介质层和部分第一牺牲层；在沟道槽中形成沟道结构，沟道结构填充沟道槽；去除第一牺牲层，在第一牺牲层所在的位置形成栅极导电层；去除第二牺牲层，在第一栅介质层和第二栅介质层之间形成气隙层。在本公开中，在半导体结构中的临近的两层栅极导电层之间形成了气隙层，由于空气具有低介电常数，因此，气隙层的存在能够减小栅极导电层之间的电容耦合。