[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202180081593.7 | 申请日： | 2021-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN116583946A | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 重歳卓志;佐佐木直人;齐藤谦一 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 刘彬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体装置，半导体装置上形成涂布了绝缘膜的贯通孔，其中，半导体装置提高了产量。半导体装置配备有贯通孔、绝缘膜和配线层。关于具有贯通孔、绝缘膜和配线层的半导体装置，贯通孔在与半导体基板的预定面垂直的方向上贯通半导体基板。此外，绝缘膜覆盖贯通孔。此外，配线层包括在绝缘膜的外周和绝缘膜的内周之间的区域中布置在其表面上的伪栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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