[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

贯通电极，沿着与半导体基板的预定的前表面垂直的方向贯通所述半导体基板；

绝缘膜，覆盖所述贯通电极；以及

配线层，包括伪栅极，所述伪栅极布置在所述前表面上的所述绝缘膜的外周与所述绝缘膜的内周之间的区域中。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述伪栅极未布置在所述内周的内侧。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述伪栅极进一步布置在所述外周的外侧。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中

所述半导体基板包括形成在所述配线层的下部的元件隔离区，以及

所述伪栅极布置在所述元件隔离区的上部。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述伪栅极的面积比不小于百分之十。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

预定数量的配线形成在所述配线层中，以及

在所述外周的内侧的所述配线的节距与在所述外周的外侧的所述配线的节距大致相同。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

在所述配线层中还布置有栅极电极，以及

所述伪栅极的材料与所述栅极电极的材料相同。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中

所述伪栅极的材料为多晶硅、非晶硅、钨、钛、钽、铝中的任意一种。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

在所述配线层中还布置有栅极电极，以及

所述伪栅极的材料不同于所述栅极电极的材料。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中

所述伪栅极的材料为氮化硅。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

在所述贯通电极中，在前表面侧的上端的横截面积小于在相对于所述前表面的背表面侧的下端的横截面积，以及

所述伪栅极布置在所述前表面的覆盖所述上端的所述绝缘膜的外周与覆盖所述上端的所述绝缘膜的内周之间。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

在所述贯通电极中，前表面侧的上端的横截面积大于相对于所述前表面的背表面侧的下端的横截面积，并且

所述伪栅极布置在所述前表面的覆盖所述下端的所述绝缘膜的外周与覆盖所述下端的所述绝缘膜的内周之间。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述半导体基板包括遍及所述绝缘膜的外周与所述绝缘膜的内周之间的区域的整个表面所形成的元件隔离区。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述半导体基板包括形成在所述绝缘膜的外周与所述绝缘膜的内周之间的一部分区域中的元件隔离区，以及

所述伪栅极布置在所述元件隔离区的上侧。

15.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述配线层中还布置有Fin场效应管(Fin-FET)的栅极电极。

16.一种半导体装置的制造方法，包括：

第一伪栅极形成工序，在半导体基板的预定的前表面上具有不同面积的两个同心圆之间的预定区域中形成第一伪栅极；

抛光工序，在形成所述第一伪栅极的所述前表面上形成层间绝缘膜，并对所述层间绝缘膜进行抛光；

第二伪栅极形成工序，去除所述第一伪栅极并且在所述预定区域中形成具有与所述第一伪栅极的材料不同的材料的第二伪栅极；以及

绝缘膜形成工序，在所述预定区域中形成用于覆盖沿着与所述前表面垂直的方向贯通所述半导体基板的贯通电极的绝缘膜。