[发明专利]薄膜及其制造方法、圆偏振光检测元件、器件、及方法在审

申请号：	202180026025.7	申请日：	2021-05-25
公开（公告）号：	CN115362563A	公开（公告）日：	2022-11-18
发明（设计）人：	二瓶步美;宫坂力	申请（专利权）人：	国立研究开发法人科学技术振兴机构
主分类号：	H01L31/08	分类号：	H01L31/08;C07C211/30;H04N5/225
代理公司：	北京市金杜律师事务所 11256	代理人：	牛蔚然
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	本发明的薄膜为用于圆偏振光检测的薄膜，其特征在于，具备：由钙钛矿型物质形成的、构成层状结构体的多个无机层及/或构成链状结构体的多个无机链；和包含于相邻的前述无机层彼此及/或前述无机链彼此的边界部之中的至少一部分的手性分子，前述手性分子中存在S型的手性分子或R型的手性分子中的仅任一者、或者S型的手性分子或R型的手性分子中的任一者的存在比例高于另一者的存在比例，前述钙钛矿型物质的晶体结构沿规定的方向取向。
搜索关键词：	薄膜及其制造方法偏振光检测元件器件
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摘要：本发明提供信号和噪声之比即SN比大的光检测元件、接收装置及光传感器装置。该光检测元件具有多个磁性元件，所述多个磁性元件各自具备被照射光的第一铁磁性层、第二铁磁性层、以及被所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层夹持的间隔层，所述多个磁性元件中的至少两个被配置为进入照射的所述光的光斑内。

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申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L31/08
摘要：本发明的薄膜为用于圆偏振光检测的薄膜，其特征在于，具备：由钙钛矿型物质形成的、构成层状结构体的多个无机层及/或构成链状结构体的多个无机链；和包含于相邻的前述无机层彼此及/或前述无机链彼此的边界部之中的至少一部分的手性分子，前述手性分子中存在S型的手性分子或R型的手性分子中的仅任一者、或者S型的手性分子或R型的手性分子中的任一者的存在比例高于另一者的存在比例，前述钙钛矿型物质的晶体结构沿规定的方向取向。

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摘要：将场发射与表面等离子体激元极化相结合的光检测器。描述了允许在THz范围内且在高频下检测和测量光的方法和器件。所公开的器件包括具有窄纳米尺寸间隙的等离子体激元金属触点，以将光波导模态耦合到等离子体激元模态，从而通过偏置所述触点来产生场发射电流。

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摘要：本发明涉及一种表面等离子体光子学电场增强型光电探测器，根据一实施例的光电探测器可以吸收表面等离子体激元(Surface plasmon polariton,SPP)而生成光电流，该表面等离子体激元(Surface plasmon polariton,SPP)是表面等离子体(Surface plasmon,SP)与光波(Light wave)的光子(Photon)结合而生成。

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摘要：本发明涉及一种表面等离子体光子学电场增强型光电探测器，根据一实施例的光电探测器利用具备分裂导带的光吸收层吸收表面等离子体激元(Surface plasmon polariton,SPP)，并基于所述被吸收的表面等离子体激元生成光电流，该表面等离子体激元(Surface plasmon polariton,SPP)是表面等离子体(Surface plasmon,SP)与光波(Light wave)的光子(Photon)结合而生成。

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摘要：本文公开了一种装置以及制造该装置的方法。该方法包括获得多个半导体单晶块(904),多个半导体单晶块中的每个半导体单晶块可具有第一表面(906)和第二表面(908)。所述第二表面可与所述第一表面相对。所述方法还可以包括将多个半导体单晶块通过相应的第一表面结合到第一半导体晶片(902)。所述多个半导体单晶块形成辐射吸收层(110)。所述方法还包括在所述多个半导体单晶块的每个半导体单晶块的相应的第二表面上形成多个电极(912)，在所述多个半导体单晶块的每个半导体单晶块上沉积柱(914)，并将所述多个半导体单晶块通过所述柱结合到第二半导体晶片(920)。

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摘要：本申请提供一种桥面、像元结构和芯片，桥面其包括转化元件和聚光元件。其中，转化元件用于接收光信号，并用于将所述光信号转化为电信号；聚光元件用于吸引光信号；沿所述桥面的厚度方向，所述聚光元件投影和所述转化元件的投影存在重叠部分。本实用新型桥面中的转化元件可吸收光信号，并引起自身温度的变化，从而使得自身的电学参数发生变化，进而实现将光信号转化为电信号；聚光元件可吸引较多的光信号，使得位于其周侧的转化元件能够接受到更多的光信号，从而提升了芯片对光信号的有效吸收率，进而提升了芯片检测的精准度。

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申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L31/08
摘要：本发明涉及数字医疗影像技术领域，公开了一种平板探测器及医学影像探测设备，该平板探测器包括衬底基板，衬底基板划分有多个探测单元，每个探测单元包括设于衬底基板上且层叠设置的第一吸收层和第二吸收层，第二吸收层位于第一吸收层背离衬底基板的一侧，第二吸收层所吸收的射线能量等级小于第一吸收层所吸收的射线能量等级；供压电极结构；与供压电极结构电连接且用于输出第一吸收层的第一探测信号和输出第二吸收层的第二探测信号的输出电路。该平板探测器中有能吸收不同能量的射线的第一吸收层和第二吸收层，能实现高能射线的探测，也能实现低能射线的探测，兼容性好，且可以在同一次双能射线曝光中实现双能剪影探测，使用方便。

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申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L31/08
摘要：本申请涉及一种X射线探测器及其制备方法，属于高能射线探测技术领域，本申请提供的X射线探测器，包括闪烁体层，所述闪烁体层的材料的化学式为A5B3X6Y2，其中，A为Cs、Rb、K中的至少一种，B为Cu或Ag，X为Cl、Br、I中的一种，Y为Cl、Br、I中一种，且X与Y为不同的化学元素。A5B3X6Y2的结构特性为一维晶体结构，该结构特性的化合物单晶作为闪烁材料具有强的激子限域效果，以使其拥有优异的发光性能。

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摘要：本发明涉及一种基于半导体材料的辐射热流调控器件及其应用，其包含相对设置的第一辐射体和第二辐射体，所述第一辐射体设有半导体材料层，所述半导体材料层含有本征半导体材料和载流子掺杂浓度小于1016cm‑3的掺杂半导体材料中的一种或两种；第一辐射体的设置方式为悬空设置，或者所述第一辐射体包括含金属材料层的第一基底。本发明的技术方案主要利用半导体材料内部载流子浓度随温度的变化而导致的局域电磁态密度的变化来实现辐射热流的大幅度调控。本发明提供的辐射热流调控器件可以通过改变触发机制或是与其他部件进行组合的方式来实现热二极管、热三极管、热开关等功能。

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摘要：本申请公开一种光传感器结构，包括基板、光感测组件、外周壁以及第一反射材料层。基板包含多个金属垫。光感测组件设置在基板上并且电性连接多个金属垫。外周壁设置在基板上，且外周壁与基板形成一容置空间。金属垫以及光感测组件位在容置空间。第一反射材料层设置在容置空间，且第一反射材料层围绕光感测组件。

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摘要：本实用新型公开了光敏电阻的新型连接结构，具体涉及光敏电阻技术领域，包括陶瓷基板和电极，所述陶瓷基板的顶端固定连接有电极，所述陶瓷基板的底端固定连接有导线，所述陶瓷基板的外部设置有辅助固定结构，所述辅助固定结构包括保护套，所述保护套设置在陶瓷基板的外部，所述保护套内部的两端固定连接有压缩弹簧，所述压缩弹簧的一端固定连接有压板，所述压板的内部设置有弧形槽。本实用新型通过设置有辅助拉直结构，辅助拉直结构由滑套、固定杆、压块、限位块和插栓组成，因滑套套接在固定条的外部，将插栓打开，将固定杆上的两个压块向内部压紧，然后向下抽拉，这时在压块之间的导线会被拉直，在不使用时，利用预留孔，用插栓固定即可。

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申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L31/08
摘要：所描述实例包含一种传感器装置，其具有定位在半导体衬底上方的第一导体层(110)的中央垫上的至少一个导电细长第一柱(140)，所述第一柱(140)在正交于所述第一导体层(110)的表面的平面的第一方向上延伸。导电细长第二柱(150)以正交定向定位在所述半导体衬底上方的第二导体层(120)上，所述导电细长第二柱(150)处在与所述第一导体层(110)中的通孔开口重合的位置处。所述第二导体层(120)平行于所述第一导体层(110)并通过至少绝缘体层(130)与所述第一导体层(110)间隔，所述导电细长第二柱(150)在所述第一方向上延伸通过所述通孔开口中的相应一者。所述至少一个导电细长第一柱(140)通过间隙与环绕导电细长第二柱(150)间隔。

无机钙钛矿厚膜复合材料半导体器件及其制备方法-201910106988.2
发明人：徐闰;倪超伟;欧正海;张笑铮;易永胜;徐珊瑚;徐飞;黄健;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-02-02 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L31/08
摘要：本发明公开了一种无机钙钛矿厚膜复合材料半导体器件及其制备方法，能达到能够进行连续生长，制备出尺寸大、结晶度好的钙钛矿多晶厚膜的X‑ray探测器，其结构为透明玻璃/CsPbBr3钙钛矿多晶厚膜/Au电极的全无机钙钛矿平面型半导体探测器。我们制作的探测器厚度较厚，具有较高的开关比，较快的响应速度以及优异的水氧稳定性。该半导体探测器的制备方法步骤简单，成本低，过程低温可控，且所制备的CsPbBr3材料耐湿耐热性优异，并将此方法运用于大规模商业生产，具有显著的产业化推广价值。

一种极化与量子点共调控的高光电响应探测器单元-201910377962.1
发明人：侯鹏飞;邢思玮;陈芸;钟向丽;王金斌;郭红霞 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L31/08
摘要：本发明属于光电响应探测技术领域，具体涉及一种极化与量子点共调控的高光电响应探测器单元。包括依次衬底、功能层、左电极、量子点、右电极，功能层位于衬底之上，功能层两侧分别为左电极和右电极，量子点分布于功能层之上，衬底为绝缘体或者为有较厚绝缘镀层的半导体，功能层为单层或多层的二维层状铁电材料，量子点为金属或者二维半导体材料纳米片。本发明能够有效提高现有技术中光电响应二维探测器单元在光/暗条件下的电流比值，并能根据需要有效调控响应时间，该类器件可以应用于柔性电子中，制备简单，易于实现微型化应用。

放射线检测元件及其制造方法-201880091974.1
发明人：山田浩平;村上幸司;野田朗 -专利权人： JX金属株式会社
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L31/08
摘要：本发明提供一种放射线检测元件，在由包含碲化镉或碲化锌镉的化合物半导体晶体构成的基板(200)的表面具备多个电极部(202)和电极间的绝缘部(201)，在所述多个电极部(202)与基板(200)之间存在包含碲的氧化物的中间层(204)，将距离所述电极间的绝缘部(201)的端部500nm内侧的碲氧化物层的厚度设为100nm以下，电极的密合性高，即使在为了得到高清晰的放射线描绘图像而制成电极间的间隔窄的放射线检测元件的情况下，也不会产生由多个电极间的绝缘不充分引起的性能不良。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]薄膜及其制造方法、圆偏振光检测元件、器件、及方法在审

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