[发明专利]集成SBD的碳化硅MOSFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111539417.1 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN114220844A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 罗烨辉;王亚飞;郑昌伟;王志成;刘启军;刘小东;李诚瞻 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;H01L29/872;H01L27/07;H01L21/82;H01L21/336;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 陈超德;吴昊 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成SBD的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，包括衬底、N‑外延层、P阱区、结型场效应区的P+区、源极槽区的P+区和N+区、第一欧姆接触金属层、第一肖特基接触金属层、第二欧姆接触金属层和第二肖特基接触金属层；结型场效应区的P+区位于P阱区远离N+区的一侧；第二欧姆接触金属层覆盖结型场效应区的P+区背离N‑外延层的一面；第一肖特基接触金属层位于第二欧姆接触金属层远离P阱区的一侧；第二肖特基接触金属层设置在第二欧姆接触金属层背离结型场效应区的P+区的一侧，与结型场效应区的P+区平行。本发明在能够降低源极接触电阻，提升碳化硅器件的通流能力，提高碳化硅器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 sbd 碳化硅 mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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